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東京工大 フロンティア研究機構 | 論文
- 原子スケールで平坦なSiO_2/Si酸化膜界面歪の評価(プロセス科学と新プロセス技術)
- 24pXJ-10 シリコン表面極浅ドープボロン原子の内殻発光分光による電子状態観測(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- ラジカル窒化によるLa_2O_3ゲート絶縁膜への窒素導入効果 : 堆積時窒化によるEOT増加抑制効果(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- 極薄希土類酸化膜/Si(100)界面構造(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)
- X線光電子分光法による極薄シリコン酸化膜の高精度膜厚算出
- シリコンの低温酸化膜の組成・構造遷移層の酸化プロセス依存性
- 角度分解光電子分光法による深さ方向組成分析の高精度化の試み
- XPSを用いたAu/極薄SiO_2界面のバリアハイトの測定(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- high-k 膜のXPSによる評価
- ラジカル酸化および熱酸化により形成した極薄シリコン酸化膜中の電子の脱出深さ(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- 13aXC-10 硬 X 線光電子分光の高分解能化・高効率化(吸収分光・MCD・光電子分光, 領域 5)
- Si-SiO_2系の形成・構造・物性
- LSIにかかわる技術の変遷と課題
- SiO_2/Si(111)界面における価電子に対するエネルギー障壁
- SiO_2/Si(111)界面における価電子に対するエネルギー障壁
- 高温熱処理とMIPS構造によるLa-silicate/Si界面特性の改善と低EOTの実現(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- コンダクタンス法を用いたHfO_2/In_Ga_Asの界面解析(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- SiO_2/Si界面における構造遷移層の酸化手法依存性(プロセス科学と新プロセス技術)
- 光電子分光法によるSi系材料ナノ構造の評価
- シリコンの酸化機構解明の手がかりを求めて
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