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日立デバイスエンジニアリング(株) | 論文
- 10MB/s多値高速書込み実現のための1Gb AG-AND型フラッシュメモリセルデバイス技術(MRAM,不揮発メモリ,メモリ,一般)
- コンテンツ配信用ギガスケールAG-AND型フラッシュメモリセル
- フラッシュメモリ信頼性におけるフローティングゲート形状の影響
- 3V単一電源フラシュメモリのワードデコーダ回路方式の検討
- 3V単一電源フラッシュメモリの書込みパルス幅べき乗比印加方式の検討
- 3V単一電源64Mビットフラッシュメモリ用AND型セル
- リーク電流低域による256Mb-DRAMの低消費電力化
- ECL 1 Mb Bi-CMOS DRAM の回路設計
- ファイル応用を指向した256MビットDRAMの回路技術
- 10Gb/s短距離光伝送用高トランスインピーダンス広ダイナミックレンジSiバイポーラ前置増幅器IC
- A-11-14 SiO_2/Al/LiTaO_3構造におけるSAW伝搬特性 : 温度特性およびAl膜厚と伝搬損失の関係
- P3-36 SiO_2/Al/LiTaO_3構造SAWの温度特性の検討 : 表面形状と伝搬特性の関係(ポスターセッション3,ポスター発表)
- A-11-10 SiO_2/Al/LiTaO_3構造SAW素子の検討 : 表面形状,温度特性,伝搬損失
- 電圧制御発振器用グレーティングモード型SAW共振器の作製法 : 電極指の最適形状と作製プロセスの高精度化の検討
- グレーティングモード型SAW共振器の製作法と電圧制御発振器への応用
- A-11-13 電圧制御発振器用SAW共振器作製プロセスの検討
- 高速光通信タイミング抽出用高QSAWフィルタの構造とプロセスの検討
- 超高速光通信用タイミング抽出SAWフィルタ
- PC20 高周波SAWデバイス用薄膜電極形成法の検討(ポスタセッションC-概要講演・展示)
- PB10 高周波SAWデバイス用微細加工技術の検討(ポスターセッションB)