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学校法人立命館 | 論文
- Growth and Microstructure of Epitaxial Ti3SiC2 Contact Layers on SiC
- 高校・大学・社会の連携による 高校生のためのフォーオール科学技術教育
- p-GaNに対する低抵抗TaTiオーミック・コンタクト材の形成及び劣化機構
- p型GaNに対する低抵抗オーム性Ta/Ti電極
- p型GaNに対する低抵抗オーム性Ta/Ti電極
- p型GaNに対するオーム性電極材の酸素アニール効果
- Ti合金による自己形成バリアを用いたデュアルダマシンCu配線の特性(配線・実装技術と関連材料技術)
- Resistivity Reduction and Adhesion Increase Induced by Surface and Interface Segregation of Ti Atoms in Cu(Ti) Alloy Films on Glass Substrates
- Effects of Dielectric-Layer Composition on Growth of Self-Formed Ti-Rich Barrier Layers in Cu(1at% Ti)/Low-k Samples
- 極薄バリア層自己形成技術--冶金学的なアプローチ (特集 これだけは知っておきたい最新の配線・実装材料技術)
- Cu(Ti)合金微細配線における極薄バリア層の自己組織形成
- Self-Formation of Ti-rich Interfacial Layers in Cu(Ti) Alloy Films
- ULSI Si半導体デバイス用のCu配線材のナノ化の課題
- Grain Growth Mechanism of Cu Thin Films
- The Effect of Target Purities on Grain Growth in Sputtered Copper Thin Films
- p型SiC半導体/TiAl系オーミック・コンタクト材の界面構造
- Effect of Organic Additives on Formation and Growth Behavior of Micro-Void in Electroplating Copper Films
- The Effect of Strain Distribution on Abnormal Grain Growth in Cu Thin Films
- K04 バルク材と薄膜材の機械強度の相違
- 電子デバイスの高性能化に向けた無機・有機の融合研究課題