スポンサーリンク
学校法人立命館 | 論文
- 最新開発事例 次世代Si-ULSIデバイス用ナノCu配線材料の課題 (特集 ナノエレクトロデバイスの課題と可能性)
- 金属・半導体接合界面制御によるオーム性電極材料開発 : n型GaAs化合物半導体を例として
- Effect of Annealing Atmosphere on Void Formation in Copper Interconnects
- SC-5-3 p-GaNへの低抵抗オーム性電極
- V. デバイス, デバイス材料 金属・半導体界面反応層の微細構造と電気特性
- p-ZnSeおよびp-GaNワイドギャップ半導体のオーム性電極
- なぜショットキーバリアは形成されるのか
- 金属/ワイドバンドギャップ半導体界面とオーム性電極
- 金属/半導体および半導体/半導体接合界面におけるエネルギー障壁
- 半導体ダイヤモンド/金属界面の電気伝導機構
- 化合物半導体用コンタクト材料のメゾスコピック化
- 年頭のご挨拶
- 会長就任に当たって
- 展望 21世紀における我が国の物づくり--米国より何を学ぶべきか
- Cu配線用拡散バリア材料
- 特集号編集にあたって
- なぜ外国へ渡ったか「Research Fund or Death!」
- 特集号企画にあたって
- 実態のわからぬ分野名
- 7 国際化渦中の日本のエレクトロニクス企業で材料屋は生き残れるだろうか?(国際化時代の渦中にあって)