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名古屋大学大学院工学研究科量子工学専攻 | 論文
- 窒化ニオブ電極を用いたオーバーダンプ型ジョセフソン接合の開発(デジタル,一般)
- 微小半導体素子の自己整合配置(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- バイアス電源の高電圧化による単一磁束量子回路の高速化の検討(信号処理基盤技術及びその応用,一般)
- プラズマ窒化AlNx障壁層を持つNbNトンネル接合の電気的特性(超伝導エレクトロニクス基盤技術及び一般)
- NbN及びMgB_2を用いたグラウンドプレーンによる磁束トラップへの影響(超伝導エレクトロニクス基盤技術及び一般)
- 24aRC-8 ホイスラー型Fe_V_Alの軟X線角度分解光電子分光(24aRC 光電子分光(超伝導・磁性・強相関),領域5(光物性))
- 10kA/cm^2プロセスを用いた2並列2段単一磁束量子再構成可能なデータパスの動作実証(超伝導エレクトロニクス基盤技術及び一般)
- フラーレン内包カーボンナノチューブFETの作製と評価(量子効果デバイス及び関連技術)
- フラーレン内包カーボンナノチューブFETの作製と評価
- GaN HEMTのエレクトロルミネッセンス(III族窒化物研究の最前線)
- 40kA/cm^2プロセスによる単一磁束量子回路の動作評価(信号処理基盤技術及びその応用,一般)
- TDGL方程式による超伝導体薄膜の磁場排除効果の数値解析(超伝導エレクトロニクス基盤技術及び一般)
- 非対称ナノブリッジにおけるボルテクスのラチェット的挙動(超伝導エレクトロニクス基盤技術及び一般)
- 10kA/cm^2Nb Processを用いたSFQ浮動小数点乗算器の50GHzでの動作評価(信号処理基盤技術及びその応用,一般)
- ISTEC 10-kA/cm^2 Nbアドバンストプロセス2を用いた4x4スイッチ回路の動作実証(信号処理基盤技術及びその応用,一般)
- C-8-15 10kA/cm^2Nb Processを用いたSFQ浮動小数点乗算器コンポーネント回路の動作評価(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- C-8-14 10kA/cm^2Nbプロセスを用いたSFQ半精度浮動小数点加算器のコンポーネント回路の動作実証(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- C-8-2 YBCOナノブリッジを用いた高速光スイッチングデバイスの開発(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- C-8-8 相補型デルタアナログ-デジタル変換器用間引きフィルタの動作実証(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- 蛍石型化合物の高温熱容量
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