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名古屋大学大学院工学研究科量子工学専攻 | 論文
- C-8-13 アドバンストプロセスを用いた4x4スイッチ回路の112GHzでの動作実証(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- C-8-12 アドバンストプロセスを用いたSFQ-RDP用コンポーネント回路の動作評価(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- C-8-11 40-kA/cm^2プロセスによる単一磁束量子回路の動作実証(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- C-8-6 検出器アレイに向けた2チャンネルイベント駆動型アナログ-デジタル変換器の動作実証(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- 17%Cr-Mn-Niオーステナイト系ステンレス鋼の短時間酸化スケールの微細構造(表面処理・腐食)
- X線で見る界面の原子配列
- 利用実験:X線波動場による薄膜成長制御
- 2. 吸収端近傍のX線を使って─(2)特定の元素に着目して─ 多波長異常分散法で半導体界面構造をみる
- 容量DLTS法によるAlGaN中のディープレベルの評価(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 容量DLTS法によるAlGaN中のディープレベルの評価(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 都市ごみ焼却条件下におけるNaClのSO_2/O_2/H_2O共存下でのHCI変換特性
- 顕微ラマン分光法によるGaN HEMTの温度分布測定(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- ALD成膜HfO_2ゲート絶縁膜を有するAlGaN/GaN MOSFETの作製・評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- ALD成膜HfO_2ゲート絶縁膜を有するAlGaN/GaN MOSFETの作製・評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- C-8-7 超小型中性子検出器へ向けた信号処理回路の開発(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- C-8-7 超伝導検出器のアレイ化に向けたイベント駆動型セレクタ回路の開発(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- C-8-16 大規模単一磁束量子回路向け動的消費エネルギ計算ツールの検討(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- 共鳴トンネルカオス回路における高周波カオス制御とその応用(量子効果デバイス及び関連技術)
- 共鳴トンネルカオス回路における高周波カオス制御とその応用(量子効果デバイス及び関連技術)
- TC-1-5 共鳴トンネル素子を利用した超高周波カオス生成とその分周器への応用
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