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名古屋大学大学院工学研究科量子工学専攻 | 論文
- アモルファス半導体障壁層を用いたMgB_2ジョセフソン接合の評価(接合及び材料,一般)
- ホイスラー型熱電材料Fe_Ir_yV_Alの軟X線光電子分光
- Fe_2VAl系ホイスラー化合物の熱電特性に及ぼす非化学量論組成の効果
- ナノ構造技術
- GaN ELO結晶上微小ショットキー接合の電気特性評価
- CS-11-3 テラヘルツイメージング・セキュリティ応用の最前線(CS-11.テラヘルツ波技術の進展と実用化への展望,シンポジウム)
- 単一磁束量子を用いた情報処理回路
- C-8-6 10kA/cm^2Nbプロセス用単一磁束量子セルライブラリの構築(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- C-8-7 単一磁束量子回路を用いた2並列3段の再構成可能なデータパスの検討(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- CT-1-3 SFQによる量子ビットの制御と観測(CT-1.超伝導量子コンピュータ研究の最前線,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
- C-8-8 アドバンストプロセス2における4x4SFQスイッチ回路の動作実証(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- C-8-9 A^*アルゴリズムに基づく単一磁束量子回路受動線路配線ツールの実装と評価(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- C-8-16 アドバンストプロセス2.1を用いた2並列2段のSFQ-RDPの検討(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- C-8-15 10kA/cm^2Nbアドバンスドプロセスを用いたSFQ半精度浮動小数点乗算器の設計(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- C-8-5 10kA/cm^2Nbプロセスを用いたSFQ半精度浮動小数点加算器のコンポーネント回路の設計(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- C-8-10 Nb8層プロセスを用いた受動線路の設計と回路応用(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- C-8-8 プラズマ窒化AIN障壁層を持つNbN接合の障壁層形成法による特性比較(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- C-8-4 アドバンストプロセス2を用いた単一磁束量子回路によるALUの設計と評価(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- C-8-3 アドバンストプロセス2におけるバイアス電流供給法が回路動作に与える影響(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- トップゲートカーボンナノチューブFETにおけるゲート絶縁膜界面電荷の影響(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
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