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古河電工(株)横浜研究所 | 論文
- 1.3μm帯InAsP系変調ドープレーザ
- 1.3μm帯InAsP系変調ドープレーザ
- C-4-13 狭出射ビームGaInAsPレーザとモニタ用ディテクタ集積素子の反射鏡最適化
- AllnAs選択酸化を用いたp型基板上の波長1.3μmレーザアレイ
- SC-6-6 高耐圧GaN系FET及びエピ開発
- MOCVD法によるGaN/Siの結晶成長 : エピキタシャル成長III
- ガスソースMBE法によるAlGaN/GaN HFETの試作 : エピキタシャル成長II
- 光照射MOCVD法によるGaNP成長と光学的評価 : エピタキシャル成長I
- 1.3μm GaInAsP/InP歪量子井戸面発光レーザ
- 1.3μm GaInAsP/InP面発光レーザ
- 1.3μm帯 GaInAsP/InP 引張歪量子井戸レーザ
- GaAsP組成傾斜型ベースHBTの開発
- ラマン分光法による半導体表面温度の測定
- GaAsP組成傾斜型ベ-スHBTの開発
- MOCVD法によるInP系HBTの開発
- フォトリフレクタンス法によるInGaP-HBTエミッタ/ベース界面の評価 : 光起電力効果の検討
- 3-14 古河電工における歴史に残すべき技術 : 光ファイバと励起レーザ (3. 企業や研究機関等ごとの歴史に残すべき技術) (電子情報通信分野の歴史に残すべき技術 : 産業界を中心として)
- 化合物半導体電子デバイスのモデリングとシミュレ-ション
- 透過電子顕微鏡法による量子井戸レ-ザの評価
- 0.98μmアルミニウムフリ-InGaAs/InGaAsP/InGaP GRIN-SCHレ-ザの開発