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半導体理工学研究センター | 論文
- 20aGQ-4 Si(001)ホールサブバンド分散の角度分解光電子分光測定(20aGQ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- マイクロプロセッサにおける基板ノイズの評価と解析(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
- LSIの設計品質はCADツールの使いこなしが決める! : CAD技術の研究開発なくして高性能LSIはない
- 26pPSB-6 Bi吸着Si(001)表面の構造と電子状態(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 90-65nmテクノロジーに対応できるオンチップメモリは?
- [招待論文]DAC2003報告 : フィジカルデザイン(プロセス・デバイス・回路・シミュレーション及び一般)
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- 反応性DC-スパッタリング法により作製されたHfO_2薄膜の界面特性の評価 : 界面シリケート層の形成とHfO_2薄膜中トラップの関係の考察
- 作製後の電子局在注入による非対称パスゲートトランジスタ及びしきい値電圧ばらつき自己修復機能を有する6トランジスタ型SRAMとその読み出し安定性の向上(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- 27aYH-8 Siホールサブバンドの有効質量(結晶成長,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 26pPSB-20 Si(110)表面へのPb吸着構造のRHEED観察(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- High-k膜を利用したバイオ系ドット型フローティングゲートメモリ(ゲート絶縁膜形成およびメモリ技術,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 26pPSB-4 高分解能角度分解光電子分光によるGaSb(001)表面近傍の電子状態(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 放射光光電子分光を用いた金属/高誘電率酸化物ゲートスタック構造の深さ方向解析
- パネル討論 : システムオンシリコン時代に向けてどんなCADを作るべきか?
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- 角度分解光電子分光を用いたSiO_2/SiN積層膜の窒素濃度分布の解析(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 光電子分光とX線吸収分光を用いた絶縁膜の化学結合状態、結晶化状態およびバンドオフセットの評価(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- 放射光光電子分光とX線吸収分光による高誘電率HfO_2膜の電子状態 : UHV中アニール効果(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- High-k膜を利用したバイオ系ドット型フローティングゲートメモリ(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
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