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半導体理工学研究センター | 論文
- 半導体及びそれを搭載したボードの雑音解析について
- プロセス工程後の局所的電子注入による非対称パスゲートトランジスタを有する6トランジスタ型SRAMとその読み出し時安定性の向上(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- プロセス工程後の局所的電子注入による非対称パスゲートトランジスタを有する6トランジスタ型SRAMとその読み出し時安定性の向上(高信頼技術,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 28p-G-2 極微細デバイス構造のもとでの電流ゆらぎのシミュレーション解析II
- 低速陽電子ビームを用いたCu/low-k配線構造中の欠陥検出(配線・実装技術と関連材料技術)
- 高分解能角度分解光電子分光によるシリコン酸窒化膜および高誘電率膜・シリコン界面の解析(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)
- リテンション時間延長可能なスリープモードを搭載した65nm低消費電力混載DRAM(新メモリ技術とシステムLSI)
- 80MHz帯域OFDM方式無線通信システムの検討とOFDM変復調回路の設計(スマートパーソナルシステム, 一般)
- C-12-5 信号発生器用DACの非線形性補正(ミックスドシグナル,C-12.集積回路,一般セッション)
- メモリジェネレータ対応用DRAMマクロ : メモリジェネレータを用いて2112通りの構成を生成可能な0.35um混載DRAM
- メモリジェネレータ対応用DRAMマクロ
- 相変化メモリのリセット特性のモデリング(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 相変化メモリのリセット特性のモデリング(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 並列学習操作による冗長故障判定手法
- 並列学習操作による冗長故障判定手法
- 23aWX-4 Si(110)p型反転層中のサブバンドの分散構造(23aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- C-12-29 マイクロ波帯シリコンオンチップアンテナ(C-12.集積回路C(アナログ),一般講演)
- C-2-35 CMOS低雑音増幅器付きモノリシック逆Fアンテナ(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
- 混載DRAMの共通テストインターフェス
- 混載DRAMの共通テストインターフェス
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