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信越半導体(株)半導体磯部研究所 | 論文
- 23aB1 シリコンエピタキシャル成長におけるホウ素取り込みの数値計算モデル(エピタキシャル成長I)
- SiHCl_3-H_2系シリコン気相エピタキシャル成長の化学種観察 : 気相成長III
- 常圧水素中におけるSi基板のエピ成長前処理
- 水素終端Si(100)-2×1表面の初期酸化過程とその界面構造
- CZ Si 結晶中の grown-in 赤外散乱体の TEM 観察 : バルク結晶成長シンポジウムII
- シリコンエピタキシャル成長におけるドーパントガスの輸送現象解析
- シリコンエピタキシャル成長の三次元シミュレーション
- 回転基板上へのシリコンエピタキシャル成長の三次元数値解析
- 輸送現象と表面反応を考慮した SiHCl_3-H_2 系 Si エピタキシャル成長の三次元数値解析
- 環状赤外線放射加熱炉における加熱分布の数値解析
- シリコンエピタキシャル成長の数値計算と予測技術
- CZシリコン結晶中酸素析出挙動の計算機シミュレーション : バルク成長シンポジウム
- 27pA6 CZシリコン単結晶中の格子間酸素濃度のミクロ変動と平衡偏析係数(バルク結晶成長シンポジウムIII)(バルク結晶成長シンポジウム : バルク単結晶の新しい融液成長技術)
- CZシリコン結晶中の格子間酸素濃度のミクロ変動(バルク結晶の成長(I))
- HMCZシリコン単結晶中の格子間酸素濃度のミクロ変動 : 融液成長VI
- シリコン融液表面の直按観察 : 融液成長V
- 石英隔壁侵潰による酸素濃度への影響 : 融液成長V
- 縦磁場印加FZ(VMFZ)法によるSi単結晶中のファセット生成(III) : 融液成長VI
- 垂直磁場印加(VMFZ)法によるSi単結晶中のファセット形成 : 融液成長V
- 赤外干渉法によるCZ-Si結晶中各種欠陥の評価