CZシリコン結晶中酸素析出挙動の計算機シミュレーション : バルク成長シンポジウム

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概要

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• We have developed a practical computer simulation technique to predict the oxygen precipitation behavior in CZ-Si crystals. Our simulation can describe well the influence of crystal thermal history and heavy boron doping on the oxygen precipitation characteristics.

• 日本結晶成長学会の論文
• 1998-07-01

著者

• 竹野 博

  信越半導体(株)

• 速水 善範

  信越半導体

• 三木 克彦

  信越半導体(株)半導体磯部研究所

• 竹野 博

  信越半導体(株)半導体磯部研究所

• 相原 健

  信越半導体(株)半導体磯部研究所

• 相原 健

  信越半導体(株)

• 速水 善範

  信越半導体(株)半導体磯部研究所

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