シリコンウェーハに施されたゲッタリング手法の能力評価

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概要

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シリコンウェーハに施される各種ゲッタリング手法(BSD,PBS,IG)のCuとFeに対するゲッタリング能力と捕獲メカニズムを調べた。BSDではOSFを析出核とするrelaxation-typeが支配的であり、PBSでは熱処理で大きく減少する。IGの場合はrelaxation-typeが支配的であることを確認した。Feをゲッタリングする内部欠陥密度のしきい値は1×10^8cm^-3>程度であり、ゲッタリング速度は酸素析出熱処理条件によって変わる。また、ゲッタリングされたFeが950℃の短時間熱処理で簡単に再放出されることを確認した。
社団法人電子情報通信学会の論文
1993-12-09

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