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信越半導体(株)半導体磯部研究所 | 論文

• as-grownシリコン単結晶中のフローパターンが結晶品質に与える影響 : 融液成長V
• シリコン単結晶中のD欠陥評価法の開発と結晶育成条件との対比への応用 : シンポジウムI
• シリコン融液表面の対流直接観察(バルク成長)
• MCZ法シリコン単結晶中の成長縞に対するるつぼ回転の影響 : 融液成長IV

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