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京都大学工学部電気電子工学教室 | 論文
- 酸素活性種を活用した低温形成極薄MOSFETゲートSiO_2
- 酸素活性種を活用した低温形成極薄MOSFETゲートSiO_2
- SiCホモエピタキシャル成長における面方位依存性 : 気相成長III
- 高品位SiC単結晶のステップ制御エピタキシャル成長 : 気相成長III
- SiC のステップ制御エピタキシャル成長とステップダイナミクス
- 28aB10 SiC結晶成長における核発生とステップ・ダイナミクス(基礎V)
- 28aB9 微傾斜SiC{0001}面上成長モデル(基礎V)
- 27pC9 ステップ制御エピタキシーによるSiCの単結晶成長(気相成長IV)
- ハイブリッドプラズマCVD法により堆積したa-SiC:Hの結合様式の解析
- 多結晶Si太陽電池におけるライフタイムキラーの局所的分布
- 酸素活性種を用いた極薄SiO_2膜の低温形成と過渡放電電流法による膜内電子トラップの解析
- 酸素活性種を用いた極薄SiO_2膜の低温形成と過度放電電流法による膜内電子トラップの解析
- MOSデバイス用極薄SiO_2膜の低温形成
- 酸素活性種によるシリコン極薄ゲート酸化膜の低温形成とMOSFETへの応用
- ECRリモートプラズマ法を用いた極薄SiO_2膜の低温形成
- RFスパッタリングによるPLZT薄膜の作成
- 化学エッチングを用いて作製したメサ構造による多結晶シリコン太陽電池の評価
- プラズマCVD法によって堆積した太陽電池用Si薄膜の不純物ドーピング特性
- 「励起状態活用によるシリコンヘテロ界海面制御 : 酸素活性種を用いた極薄SiO_2膜の形成」
- CVD法による薄膜結晶Siの堆積における核発生制御