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京都大学工学部電気電子工学教室 | 論文
- 結晶成長と工学 : 二ーズとの接点
- Si基板上へのSiCヘテロエピタキシャル成長
- ガスソース分子線を用いたシリコンカーバイド単結晶成長の原子層制御
- Crystal Growth of Electronic Materials, E.Kaldis(編), 1985年, North-Holland発刊, 200×265mm, 396ページ, Dfl. 235.00
- 半導体材料における材料設計
- Size Effects in Thin Films, C.R. Tellier and A.J. Tosser (著), 1982年, Elsevier Scientific Publishing Co.発行, A5版, 310ページ, Dfl.160.00
- "Current Topics in Materials Science, Volume 9", E. Kaldis(監修), (1982年, North-Holland Publishing Company 発刊, 155×230mm, 513ページ, Dfl. 235.00)
- "Current Topics in Materials Science", (ed.) E. Kaldis, (1980年, North-Holland Publishing Co. 発刊, 23×16cm, 481ペ-ジ, Dfl. 180)
- In_Ga_xP_As_y結晶のGaAs (100)基板上へのLPE成長 : III-V族化合物半導体など
- セッション印象記 : Amorphous and Dielectrics : 第4回気相成長およびエピタキシー国際会議ならびにスペシャリスト・スクール
- "Topics in Applied Physics, Vol. 17: Electroluminescence", J.I. Pankove著, (1977年, Springer-Verlag発刊, 235×158mm, 212頁, \10,560)
- 有機金属分子線エピタキシャル法による可視発光半導体GaAsPのSi基板上成長(平成9年度第3回)関西支部研究例会の講演要旨
- MOMBE法を用いたSi上GaAsPの結晶成長
- TEOSを原料としてリモートプラズマCVD法により作製したSiO_2膜の電流伝導機構
- リモートプラズマCVD法による高品質SiO_2膜の低温形成とSi-MOSFETへの応用
- 化学エッチングを用いて作製したメサ構造による多結晶シリコン太陽電池の評価
- SiCステップ制御エピタキシーと電子デバイスへの展開
- 酸素活性種を用いた極薄SiO_2膜の低温形成およびMOSFETゲート絶縁膜への応用
- ED2000-49 / SDM2000-49 酸素活性種を用いた極薄SiO_2膜の低温形成およびMOSFETゲート絶縁膜への応用
- 酸素活性種を活用した低温形成極薄MOSFETゲートSiO_2
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