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三菱電機(株)高周波光素子事業統括部 | 論文
- 傾斜型回折格子を有するλ/4位相シフト型DFBレーザ
- C-4-28 3次元電磁界解析による10Gbpsφ3.8mmCAN-LDの高周波応答シミュレーション(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
- 埋め込みPHS構造を用いたX帯動作高出力MMIC増幅器 (特集 宇宙から海底まで IT社会を支える光・高周波デバイス)
- AIInAs/GaInAs HEMT材料におけるフッ素パッシベーション効果
- AlInAs/GaInAs HEMTにおけるFの挙動と高温通電劣化への影響
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- AlInAs/GaInAs系高電子移動度トランジスタのフッ素混入による劣化
- InP 系 HEMT 用材料のフッ素混入による不活性化 : 材料依存性
- モンテカルロシミュレーションによるHEMT構造中の2次元電子ガスのself-consistentな解析II
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- モンテカルロシミュレーションによるHEMT構造中の2次元電子ガスのself-consistentな解析
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- AlInAs/InGaAs HEMTの信頼性
- 高調波処理によるGaN HEMTの高効率動作の検討(マイクロ波信号発生と計測技術/一般)
- 多層反射膜/半絶縁性InP窓層プレーナ型PDの低歪特性
- 半絶縁性 InP 窓層/多層反射膜を有するプレーナ構造高速 InGaAs-PD
- 半絶縁性InP窓層/多層反射膜付プレーナ型PDの暗電流特性