モンテカルロシミュレーションによるHEMT構造中の2次元電子ガスのself-consistentな解析
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概要
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実空間上でSchrodinger方程式とPoisson方程式をself-consistentに解くことが可能なモンテカルロデバイスシミュレータを開発した. 2次元電子と3次元電子の両方を散乱を含め統一的に扱い, 2次元電子については全てのバレーとそのサブバンドを取り扱うことができる. 波動関数計算用に新たに細かいメッシュを導入して, 精度の向上を図った. 本シミュレータをHEMT(AlGaAs/InGaAs/GaAs)に適用した結果, Schrodinger方程式とPoisson方程式の連成計算が正しく収束し, 期待通りチャネル内の2次元電子が3次元電子へ移行することを確認した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-09-26
著者
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仲里 昌明
富士総研
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神山 泰治
(株)富士総合研究所解析技術第1部
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深田 孝司
(株)富士総合研究所解析技術第1部
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谷野 憲之
三菱電機(株)高周波光素子事業統括部
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仲里 昌明
(株)富士総合研究所解析技術第1部
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