モンテカルロシミュレーションによるHEMT構造中の2次元電子ガスのself-consistentな解析II
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概要
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実空間上で2次元電子と3次元電子を同時に扱うことが可能なモンテカルロデバイスシミュレータを開発している。今回、HEMT構造中の2次元電子と3次元電子の分布を詳細に調べることにより、2次元電子ガストランジスタと呼ばれているHEMTが実は3次元電子により動作している様子を明らかにした。さらに、本シミュレータにおいても2次元電子と3次元電子を区別するための一般的な方法として境界エネルギーを導入しているが、2次元電子と3次元電子の分配比は境界エネルギーに敏感であることを明らかにした。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-10-23
著者
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仲里 昌明
富士総研
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神山 泰治
(株)富士総合研究所解析技術第1部
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深田 孝司
(株)富士総合研究所解析技術第1部
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仲里 昌朋
(株)富士総合研究所解析技術第1部
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谷野 憲之
三菱電機(株)高周波光素子事業統括部
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