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ルネサステクノロジー | 論文
- ディープサブミクロン世代におけるSRAMのロバスト設計(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- DVS環境下での小面積・低電圧動作8T SRAMの設計(メモリ,VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- DVS環境下での小面積・低電圧動作8T SRAMの設計(メモリ, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- ビット線電力を74%削減する動画像処理応用10T非プリチャージ2-portSRAMの設計(アナログ・デジアナ・センサ,通信用LSI)
- ビット線の電力を削減する実時間動画像処理応用2-port SRAM(新メモリ技術とシステムLSI)
- A-3-11 ビット線電力を8割削減する動画像処理応用10T非プリチャージ2-port SRAM(A-3.VLSI設計技術,一般講演)
- C-12-42 ビット線充放電電力を53%削減する動画像処理応用2-port SRAM(C-12.集積回路D(メモリ),一般講演)
- しきい値電圧ばらつきを克服したDVS環境下における0.3V動作SRAMの開発(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- AS-2-2 動的電圧制御環境下における0.3-V動作64-kb SRAM(AS-2. ASPLA 90nmを用いたVLSIの研究開発,シンポジウム)
- パーシャルトレンチ分離構造を用いたバルクレイアウト互換0.18μm SOI CMOS技術
- フィールドシールドアイソレーション技術を用いた0.35μm大規模SOIゲートアレー
- 部分空乏型トランジスタを用いたCADライブラリ共有型SOI/CMOSゲートアレイ
- 電気抵抗比による市販ICのエレクトロマイグレーション信頼度評価(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
- ED2000-135 / SDM2000-117 / ICD-2000-71 低誘電率層間材料を用いたCuデュアルダマシン配線技術
- ED2000-135 / SDM2000-117 / ICD2000-71 低誘電率層間材料を用いたCuデュアルダマシン配線技術
- 低寄生容量銅多層配線のための新しいプロセス技術 : 砥粒フリー銅CMP(ACP)及び新低誘電率材料:メチルシリコンオキシカーバイド(MTES)
- ED2000-47 / SDM2000-47 低寄生容量銅多層配線のための新しいプロセス技術 : 砥粒フリー鋼CMP(ACP)及び新低誘電率材料:メチルシリコンオキシカーバイド(MTES)
- カラム線制御回路を用いた0.56V動作128-kb 10T小面積SRAM(メモリ技術)
- 同時R/W課題への耐性を有する階層型レプリカビット線技術を用いた45nm2ポート8T-SRAM(メモリ,VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 同時R/W課題への耐性を有する階層型レプリカビット線技術を用いた45nm2ポート8T-SRAM(メモリ, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
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