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ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 論文
- しきい値電圧ばらつきを克服したDVS環境下における0.3V動作SRAMの開発(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- AS-2-2 動的電圧制御環境下における0.3-V動作64-kb SRAM(AS-2. ASPLA 90nmを用いたVLSIの研究開発,シンポジウム)
- コンシューマエレクトロニクス(画像エレクトロニクス,映像情報メディア年報)
- PbフリーBGAはんだ接続部の衝撃耐性評価手法の確立(第1報)衝撃破断モードの基板ひずみ依存性の検討
- ボディ浮遊SOI MOSトランジスタの電流駆動能力低下メカニズムとその改善構造
- パーシャルトレンチ分離構造を用いたバルクレイアウト互換0.18μm SOI CMOS技術
- フィールドシールド分離SOI MOSFETにおける放射線耐性の解析
- フィールドシールドアイソレーション技術を用いた0.35μm大規模SOIゲートアレー
- 水素化処理によるSOI寄生MOSFETの低しきい値電圧化の抑制
- 高抵抗基板とハイブリッドトレンチ分離を用いた0.18μmSOI技術のRF/アナログ混載への応用について
- 部分空乏型トランジスタを用いたCADライブラリ共有型SOI/CMOSゲートアレイ
- ボディバイアス可変型SOI-CMOSドライバー回路
- カラム線制御回路を用いた0.56V動作128-kb 10T小面積SRAM(メモリ技術)
- 同時R/W課題への耐性を有する階層型レプリカビット線技術を用いた45nm2ポート8T-SRAM(メモリ,VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 同時R/W課題への耐性を有する階層型レプリカビット線技術を用いた45nm2ポート8T-SRAM(メモリ, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- PbフリーBGAはんだ接続部の衝撃耐性評価手法の確立 : (第1報)衝撃破断モードの基板ひずみ依存性の検討
- 90-65nmテクノロジーに対応できるオンチップメモリは?
- 汎用メモリと専用回路の併用による高速検索ハードウェアの実現法(ネットワークシステム関連技術,一般,高度プロトコル・ネットワーキング技術(IP及び高位レイヤルーチング・フィルタリング,マルチキャスト,品質・経路制御),IPNWの利用技術(P2P,P4P,オーバレイ,SIP,NGN),ネットワークシステム関連技術(システム構成法,インタフェース,アーキテクチャ,ハードウェア・ソフトウェア・ミドルウェア),一般)
- デュアルオフセット構造を有する135GHzf_SOI MOSFETの高周波アナログ混載技術
- 情報家電用マルチコアSMP実行モードにおけるマルチグレイン並列処理(集積回路とアーキテクチャの協創-プロセッサ,メモリ,システムLSI及び一般-)
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