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(独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門 | 論文
- High-k MOSデバイスのしきい値電圧制御におけるhigh-k/SiO_2界面の役割(メタルゲート/High-k絶縁膜スタック,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- High-k MOSFETに固有な移動度劣化機構の提案(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- メタルゲート FinFET 技術
- Ge MIS界面欠陥の電気的性質(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- Hf系高誘電率ゲート絶縁膜のAl濃度変調及びパーシャルシリサイドゲート電極によるCMOS非対称閾値の改善(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- エピタキシャルゲート構造を有する強誘電体ゲートFETの試作と電気特性
- パーティクルフリーBSCCO超伝導薄膜作製に成功--原子吸光フラックスモニター法を用いた高精度分子線結晶成長技術で
- パーティクルフリー分子線エピタキシー成長とデバイス作製技術 (特集:高温超電導) -- (超電導素子の研究)
- Bi自己停止作用を利用したBSCCO超電導体の原子層制御分子線エピタキシー (特集:高温超電導) -- (超電導素子の研究)
- Hf系高誘電率ゲート絶縁膜のAl濃度変調及びパーシャルシリサイドゲート電極によるCMOS非対称閾値の改善(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- エピタキシャルゲート構造を有する強誘電体ゲートFETの試作と電気特性
- 極微FinFETおよびMulti-FinFETにおける特性ばらつき評価(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 極微FinFETおよびMulti-FinFETにおける特性ばらつき評価(デバイス,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 新しいダブルゲートMOSFET技術(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- 新しいダブルゲートMOSFET技術(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- HfC被覆ポリシリコンフィールドエミッタアレイ
- HfC被覆ポリシリコンフィールドエミッタアレイ(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- Si FEAのHfC被覆による特性改善 : 引出ゲート付きHfC被覆Si FEAの作製と評価
- コンパクトモデルを用いた金属ゲートFinFETのばらつき解析(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- フレックス・パスゲートSRAMによる雑音余裕向上
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