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(独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門 | 論文
- 縦型ダブルゲートMOSFETデバイス技術
- ダブルゲートMOSFETの歴史と現状
- 表面改質によるシリコンフィールドエミッタの特性向上
- Siフィールドエミッタの表面改質による真空封止処理耐性の向上
- 真空マイクロエレクトロニクスの展望
- 真空マイクロエレクトロニクスの展望
- 電流制御型シリコンエミッタ
- 電流制御型シリコンエミッタ
- ナノメートル加工の応用(1) -真空マイクロエレクトリニクスへの応用-
- 立体マルチゲートデバイス集積化技術
- 原子層堆積法による高誘電率ゲート絶縁膜の作製とその特性への基板親水性の影響
- 動的閾値パスゲートを用いた0.5V FinFET SRAM(SRAM,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- FinFET高周波特性の高精度評価に関する研究(機能ナノデバイス及び関連技術)
- FinFET高周波特性の高精度評価に関する研究(機能ナノデバイス及び関連技術)
- C-12-3 閾値可変型FinFETを用いた0.7V動作演算増幅器の試作(アナログ要素回路,C-12.集積回路,一般セッション)
- High-k MOS デバイスのしきい値電圧制御におけるhigh-k/SiO_2界面の役割
- エピタキシャルNiSi_2ソース/ドレインにおける原子層オーダーの接合位置制御及びドーパント偏析によるショットキーバリアハイトの低減(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- CT-2-5 低電圧SRAMデバイス技術(CT-2.サブ0.5V時代に向けた低電圧・低電力メモリ技術,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
- 原子層堆積法とTiキャップアニールによる極薄SiO_2換算膜厚を持つ high-k (k=40) HfO_2 ゲートスタックの形成
- Tunnel FETの非局所モデリング : デバイスモデルと回路モデル(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
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