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(独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門 | 論文
- 14nm世代以降に向けたアモルファス金属ゲートによるFinFETのV_tおよびG_mばらつき抑制技術(IEDM特集(先端CMOSテバイス・プロセス技術))
- チャネル長を3nmに微細化した接合レストランジスタの電気特性(IEDM特集(先端CMOSテバイス・プロセス技術))
- Independent-Double-Gate-FinFETの1/fノイズ特性に関する研究(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
- 合成電界効果によるトンネルトランジスタの性能向上(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
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- C-3-75 超小型シリコン細線8×8 PILOSSスイッチ(シリコンフォトニクス(1),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)