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(株)東芝 セミコンダクター社 | 論文
- WCDMAダイレクトコンバージョン受信機に適したカットオフ周波数オートチューニングの高速化
- 超高密度を実現する三次元フラッシュメモリー
- 高分解能誘導結合プラズマ質量分析法によるシリコンウェハー上超微量リン及びチタンの定量
- ビタビ等化器におけるサンプリング位相最適化の検討
- 双方向MLSEの検討
- 新不揮発性メモリChainFeRAM (特集2 モバイル・ネットワーク時代のメモリLSI--ネットワーク機器の実現に,多様な製品でこたえる)
- 高速大容量混載DRAM Pre-Fuse Wafer-LevelテストのためのBurst-Cycle Data圧縮方式(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般)
- 高速大容量混載 DRAM Pre-Fuse Wafer-Level テストのための Burst-Cycle Data 圧縮方式
- A-1-9 トランスコンダクタにおける位相補慣手段の一手法(A-1. 回路とシステム)
- HfSiON高誘電率ゲート絶縁膜技術
- B-5-93 ハイブリッドMMAC試作システムの開発 : 物理層ベースバンド部
- 低Hf濃度キャップ層(Hf=6%)形成によるHfSiONゲート絶縁膜の電気特性および信頼性向上とそのメカニズム
- 2. 各分野における技術の変遷 : 2-1 半導体メモリ技術の変遷と将来の展望(あの技術は今… : 技術の変遷と21世紀への展望)
- 単結晶浮遊ゲート電極を用いた不揮発性メモリセルの検討
- 高効率コンバータ用シリコンパワーデバイスの限界特性と開発動向 (マテリアルフォーカス:エネルギー 2ヶ月連続特集 コスト-発電効率-熱的信頼性 「IGBI」,「MOSFET」 パワーデバイスのトレンド(各種マテリアル編))
- 6.揮発性半導体メモリ(大容量化が進むストレージ技術)
- 次世代半導体製造プロセスにおける金属不純物汚染制御 : 新規材料元素の拡散挙動予測
- TIS(Trench-Isolated-transistor using Side wall gate)を用いたバッファ回路の新設計法とその大容量DRAMへの適用検討
- B-5-94 MMAC-HiSWANa物理実験
- 完全空乏型SOI MOSFETにおけるSOI膜厚変動によるしきい値ばらつきの抑制構造