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(株)東芝 セミコンダクター社 | 論文
- 基板電位オーバーバイアス方式を用いた0.5V動作サブ0.1um高速低消費電力技術
- 基板電位制御SOI技術を用いた0.5V, 200MHz動作32ビットALUの設計
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- サブ100nm向けエレベートソース・ドレイン構造の設計指針
- Radio-over-Fiberにおける5GHz帯FPレーザ直接変調方式 : HiSWANa準拠OFDM信号に対する光伝送特性
- 65nmノード世代に向けたHigh-kゲート絶縁膜(HfSiON)のCMOSFET設計(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- 65nmノード世代に向けたHigh-kゲート絶縁膜(HfSiON)のCMOSFET設計(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- プラズマ酸化とプラズマ窒化を用いた、低消費電力CMOSデバイス向けHfSiONゲート絶縁膜の形成(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 次世代半導体プロセスにおける重金属汚染の影響と対策
- 微細MOSFETのリーク電流を考慮したシステムLSIの高速低消費電力設計法の検討
- 微細MOSFETのゲートリーク電流の低消費電力用2電源方式に及ぼす影響に関する検討
- SOIを用いた0.5V動作CMOSロジックの設計法
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- 任意形状のゲート電極におけるFNトンネル電流のシミュレーション
- 任意形状のゲート電極におけるFNトンネル電流のシミュレーション
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- HfSiO(N)膜の欠陥生成と絶縁破壊機構(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- HD映像伝送を実現する無線LANベースバンドLSIの開発
- HD映像伝送を実現する無線LANベースバンドLSIの開発(デジタル・情報家電, 放送用, ゲーム機用システムLSI, 及び一般)
- 低抵抗・高信頼Cu配線のためのシリサイドキャップ技術(配線・実装技術と関連材料技術)
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