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(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター | 論文
- 65nmノード世代に向けたHigh-kゲート絶縁膜(HfSiON)のCMOSFET設計(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
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- OFDM無線LANに適したスマートアンテナ方式を実現するDBF-LSIの開発(アレーアンテナ・到来方向推定,無線応用システムの進展と多様化を支えるアンテナ・伝搬の設計・解析・測定技術論文)
- OFDM無線LANシステムにおけるDBF-LSIの受信性能改善効果(衛星通信・放送技術及び一般)
- Chain FeRAM技術概要とScalingに適したShield-Bitline-Overdrive技術(新材料メモリ,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- MRAMの最新動向とクランプ参照方式と最適参照方式を搭載した64メガビットMRAM(新材料メモリ,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- 90nm世代におけるSoC向け高集積混載SRAM技術(MRAM,不揮発メモリ,メモリ,一般)
- 三次元NANDフラッシュメモリに最適な縦型アレイデバイス開発(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- ある半導体メモリ設計者から見た磁性体への期待
- SOI上に形成された1Tゲインセル(FBC)を使ったメモリ設計 : 4F^2サイズの新原理メモリセルの提案
- CT-1-4 3次元積層化NANDフラッシュメモリについて(CT-1.エマージングメモリと3次元集積メモリ,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
- CT-1-1 エマージングメモリの最新技術動向(CT-1.エマージングメモリと3次元集積メモリ,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
- 完全CMOSプロセスを用いたバイポーラ搭載高速キャッシュSRAM製造プロセスの開発
- 埋め込み素子/ウェル分離を用いた微細Full CMOS型SRAMの開発
- 新不揮発性メモリChainFeRAM (特集2 モバイル・ネットワーク時代のメモリLSI--ネットワーク機器の実現に,多様な製品でこたえる)
- 2層Al配線を用いた1Mビット強誘電体メモリー技術
- FBCを用いた333MHzランダムサイクルDRAM(プロセッサ, DSP, 画像処理技術及び一般)
- FBCを用いた333MHzランダムサイクルDRAM(プロセッサ, DSP, 画像処理技術及び一般)
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- B-1-219 OFDM通信システムにおけるDBF-ICの無線性能評価実験(B-1.アンテナ・伝播C(アンテナシステム))
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