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(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター | 論文

• OFDM無線通信システムにおけるDBF-ICの性能評価(アダプティブアンテナ,MIMO及び無線信号処理技術,一般)
• B-1-225 OFDM 無線システムにおける DBF-IC の性能評価
• 2.4GHz帯アダプティブアレイの間欠的干渉信号低減アルゴリズム
• 2.4GHz帯アダプティブアレイの間欠的干渉信号低減アルゴリズム
• 2.4GHz帯アダプティブアレイの間欠的干渉信号低減アルゴリズム
• 2.4GHz帯アダプティブアレイの間欠的干渉信号低減アルゴリズム
• 2.4GHz帯アダプティブアレイの間欠的干渉信号低減アルゴリズム
• B-5-268 FWA用ローカル信号移相型アダプティブアレイの2ユーザーSDMA干渉抑圧特性
• B-5-139 FWAにおける加入者局高の影響を考慮した下り回線のオーバーリーチ干渉低減効果
• 加入者無線アクセスシステム用アダプティブアレーのオーバーリーチ干渉低減効果
• 高速大容量混載DRAM Pre-Fuse Wafer-LevelテストのためのBurst-Cycle Data圧縮方式(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般)
• 高速大容量混載 DRAM Pre-Fuse Wafer-Level テストのための Burst-Cycle Data 圧縮方式
• アルゴンイオン注入のSOI-NMOSFET特性に対する影響
• 通信用LSIへのSOI技術の応用 : fmax 67GHz SOI 横型バイポーラトランジスタ技術
• 混載DRAMの共通テストインターフェス
• 混載DRAMの共通テストインターフェス
• 1/f noiseのプロセス依存性 : 高性能アナログ回路の実現に向けて(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
• 1/f noiseのプロセス依存性 : 高性能アナログ回路の実現に向けて(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
• 混載DRAMに適したSOI上の1トランジスタゲインセル(FBC)を使ったメモリ : セル特性及びメモリ性能の評価結果(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
• SOI上に形成した混載DRAM用メモリセル : FBC(Floating Body Cell)(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))

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