スポンサーリンク
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター | 論文
- 混載DRAMに適したSOI上の1トランジスタゲインセル(FBC)を使ったメモリ : セル特性及びメモリ性能の評価結果(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- SOI上に形成した混載DRAM用メモリセル : FBC(Floating Body Cell)(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- 90nmノード高性能部分空乏型SOI CMOSデバイス
- データ線シフトリダンダンシ方式を用いたLogic混載DRAMマクロ
- 21705 LSI中空配線の機械構造設計(配線2,OS.12 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS))
- 低消費電力型BiCMOS用シャロウトレンチ最適化の検討
- 4MビットCMOSダイナミックRAM (半導体メモリ)
- 65nm世代以降の Cu/Low-k 多層配線プロセスインテグレーションとCMP技術への要求
- TC-2-2 高性能 SoC 向け多層配線技術の課題と微細実装技術への要求
- 招待講演 NAND Flashメモリ高性能化の技術動向とNAND Flashプロセスでの混載DRAM技術 (集積回路)
- 単一FETセルを用いたSOI DRAM
- NAND Flashメモリ高性能化の技術動向とNAND Flashプロセスでの混載DRAM技術(不揮発性メモリ,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
スポンサーリンク