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(株)日立製作所中央研究所ulsi研究部 | 論文
- 24GHz 1V動作擬似縦積み型ミキサ回路(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 超高速シリコンバイポーラデバイスの低消費電力化
- アルミニウム電極・配線に発生するウィスカ
- Cu配線のストレスマイグレーションによるVia劣化とその対策
- ED2000-135 / SDM2000-117 / ICD-2000-71 低誘電率層間材料を用いたCuデュアルダマシン配線技術
- ED2000-135 / SDM2000-117 / ICD2000-71 低誘電率層間材料を用いたCuデュアルダマシン配線技術
- フラッシュメモリ信頼性におけるフローティングゲート形状の影響
- 3V単一電源64Mビットフラッシュメモリ用AND型セル
- 10Gb/s短距離光伝送システム用高感度・広ダイナミックレンジSiバイポーラプリアンプIC
- 10Gb/s短距離光伝送用高トランスインピーダンス広ダイナミックレンジSiバイポーラ前置増幅器IC
- 10Gbit/s光受信器用Si前置増幅器の周波数特性の平坦化の検討
- B-10-96 InP及びSiGe HBT-ICを用いた40Gbit/s光受信器の試作
- トンネル絶縁膜特性に及ぼす電極上絶縁膜の影響
- トンネル絶縁膜特性に及ぼす電極上絶縁膜の影響
- ED2000-135 / SDM2000-117 / ICD2000-71 低誘電率層間材料を用いたCuデュアルダマシン配線技術
- 配線工程におけるウエハ裏面Cu汚染のデバイス信頼性に与える影響
- 半導体製造プロセスにおけるCu汚染によるデバイス信頼性劣化とそのメカニズム
- C-12-36 SiGe HBTを用いた43Gb/s 16:1MUX用低ジッタ出力回路の設計(C-12.集積回路C(アナログ))
- SiGe HBTを用いた43Gb/s光伝送システム16:1MUX ICモジュール向け低ジッタ出力回路の設計
- SiGe HBTを用いた43 Gb/s光伝送システム16:1MUX ICモジュール向け低ジッタ出力回路の設計(ミリ波デバイス・回路・システム応用一般)