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(株)日立製作所中央研究所ulsi研究部 | 論文
- SiGe HBTを用いた43 Gb/s光伝送システム16:1MUX ICモジュール向け低ジッタ出力回路の設計(ミリ波デバイス・回路・システム応用一般)
- SiGe HBTを用いた43Gb/s光伝送システム16 : 1MUXICモジュール向け低ジッタ出力回路の設計
- 高性能SiGe HBT/0.13μm CMOS混載化デバイス技術と40Gb/s光通信用LSIへの応用
- C-10-15 SiGe HBTを用いた50Gb/s 4:1 MUX. 48Gb/s 1:4 DEMUX ICとICモジュールの開発
- 超高速自己整合構造SiGe HBTと光伝送用ICへの応用
- 高周波・高速用途向け自己整合構造SiGe HBT/CMOS技術
- SiGe HBTを用いた40Gb/s光伝送用高利得プリアンプICの開発
- SiGe HBTを用いた40Gb/s光伝送用高利得プリアンプICの開発
- 10Gb/s短距離光伝送用高トランスインピーダンス広ダイナミックレンジSiバイポーラ前置増幅器IC
- 10Gb/s短距離光伝送用高トランスインピーダンス広ダイナミックレンジSiバイポーラ前置増幅器IC
- 超高速200-GHz SiGe:C HBT技術
- HC1フリー選択エピタキシャル成長によるSiGe HBT(III族窒化物研究の最前線)
- HClフリー選択エピタキシャル成長によるSiGe HBT(III族窒化物研究の最前線)
- HC1フリー選択エピタキシャル成長によるSiGe HBT(III族窒化物研究の最前線)
- SiGe選択エピタキシャル成長前の基板表面清浄化方法がHBT特性に与える影響の検討
- 超高速光伝送用20GHz 49dBΩベース接地トランジスタ入力段付加型Siバイポーラ前置増幅器の試作
- 瞬間気相ドーピング法を用いた100 GHz Siバイポーラ技術
- 瞬間気相拡散法によりベースを形成したSiバイポーラトランジスタの試作と評価
- C-12-45 擬似縦積および段間結合トランスを用いた24GHz帯低電力受信ICの試作(無線通信,C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-1 K帯向け低電力擬似縦積型ミキサの線形性向上の検討(C-12.集積回路,一般セッション)