スポンサーリンク
(株)日立製作所中央研究所ulsi研究部 | 論文
- C-2-6 20GHz帯1V動作VCOと低電力ミラー周波数分周器の開発(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- 24GHz帯動作可能な高イメージ抑圧低雑音増幅回路の構成(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
- 24GHz 1V動作擬似縦積み型ミキサ回路
- C-12-39 周辺グランドパターンを考慮した高精度インダクタモデル(C-12.集積回路C(アナログ),一般講演)
- C-12-32 再利用トランスフォーマ整合回路を用いた27GHz SiGe VCO(C-12.集積回路C(アナログ),一般講演)
- C-12-24 誘導電流制御可変インダクタを用いた4.5 GHz VCO(C-12.集積回路C(アナログ),一般講演)
- C-2-48 オンウェハスパイラルインダクタ等価回路モデルの検討(C-2. マイクロ波B(受動デバイス), エレクトロニクス1)
- C-12-34 短距離車載レーダ向け24GHz SiGe HBT低雑音増幅器の試作(C-12.集積回路C(アナログ),一般講演)
- 高性能 SiGe HBT/BiCMOS デバイス技術
- 高制御Si/SiGeエピタキシャル成長による超低消費電力SiGe HBTの実現
- C-11-1 リングエミッタトランジスタTEGを用いた自己整合構造SiGe HBTのベース抵抗評価(C-11.シリコン材料・デバイス,一般講演)
- C-11-1 超高速 SiGe HBT におけるエミッタ・アスペクト比の最適化検討
- C-12-33 3-10 GHzフルバンドUWB無線通信用低雑音増幅器(C-12.集積回路C(アナログ),一般講演)
- 側壁ベ-ス電極形トランジスタ特性の構造依存性 (シリコンLSIの高性能化技術特集) -- (デバイス技術--バイポ-ラ)
- SiGeHBT/CMOSを用いた5.8GHzETC用シングルチップトランシーバIC
- C-12-39 SiGe HBT/CMOSを用いたETC用5.8GHzワンチップトランシーバIC
- SC-7-2 超高速SiGe HBT技術と40Gb/s光伝送用ICへの応用
- C-12-33 SiGe HBTを用いた40Gb/s光伝送用アナログIC
- 40Gb/s光伝送用SiGe HBT前置増幅器の試作
- 分割モデルによる自己整合型ハイボーラトランジスタのベース抵抗の検討
スポンサーリンク