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(株)日立製作所中央研究所ulsi研究部 | 論文
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- 高分子レジストを用いた極微細加工とその評価
- ナノメ-タリソグラフィにおけるレジストの高分子マトリックス効果
- SiGe HBTを用いた40Gb/s光伝送システム用ICモジュールの開発
- C-12-32 SiGeHBTを用いた40Gb/s光伝送システム用AGCアンプ
- C-12-23 ベース接地トランジスタ入力型プリアンプの高精度設計の検討
- C-12-34 SiGe HBTを用いた40Gb/s光伝送システム用1:4DEMUX IC
- ナノメーターリソグラフィーにおけるレジスト高分子のサイズ効果
- エミッタフォロワ回路における配線寄生素子の高周波特性への影響
- 自己整合SiGe HBTを用いた超高速ECL回路とゲート遅延時間の解析
- 12-ps ECL 自己整合金属/IDP Siバイポーラ技術
- 自己整合金属/IDP技術による超高速バイポーラトランジスタの試作と評価(2)
- 自己整合金属/IDP技術による超高速バイポーラトランジスタの試作と評価(1)
- 自己整合選択成長SiGe HBT構造の最適化
- 自己整合選択成長SiGe HBT構造の最適化
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- C-2-26 GaAs pHEMT 7-28 GHz 周波数 4 逓倍回路の試作
- 高速・高機能化が進む SiGe HBT 技術
- 3次元システムLSI開発のためのチップレベルTSVプロセス(次世代電子機器を支える三次元積層技術と先端実装の設計・評価技術論文)