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(株)日立製作所中央研究所 | 論文
- 2-5 MOS形固体撮像素子の固定パターン雑音抑圧方法(その1)
- 2-3 MOS形固体撮像素子用低雑音走査回路
- 2-8 差動形パルス回路を内蔵した64段BCD(Bulk Charge-transfer Device)アナログメモリ
- レーザアニールによるSi 薄膜溶融, 結晶化過程の実時間観測と結晶の高品質化
- パルス変調CWレーザ結晶化(SELAX)法による高移動度低温ポリSi-TFT(有機ELとTFT(シリコン、化合物、有機)及びディスプレイ技術)
- パルス変調CWレーザ結晶化(SELAX)法による高移動度低温ポリSi-TFT(有機ELとTFT(シリコン,化合物,有機)及びディスプレイ技術)
- レーザアニールによるSi薄膜の溶融、結晶化過程の実時間観測
- システム・イン・ディスプレイに向けた擬似単結晶シリコンTFT技術 (特集 電子ディスプレイ「新技術」をいち早く掴む--有機ELディスプレイ,製造プロセス・材料の最新成果)
- SiO_2基板上の非晶質Si/Ge積層構造におけるGe拡散と結晶化過程
- SC-9-3 裏面エミッタ電極を有する小型 InGaP/GaAs コレクタアップ・トンネリングコレクタ HBT
- C-10-3 裏面エミッタ電極を有するInGaP/GaAsコレクタアップ・トンネリングコレクタHBTの試作
- 樹脂埋め込み型高周波 MCM の新構造とエッチング/プレス一括成形工法
- 樹脂埋め込み型フェイスアップ高周波 MCM
- クエン酸系ウエットエッチングによるトランジスタ直下Via-holeの形成(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- C-10-13 裏面放熱孔を有する InGaP/GaAs コレクタアップ HBT における熱安定動作のイオン打ち込み量依存性
- InGaP/GaAsコレクタトップHBTへの裏面放熱エミッタ電極形成技術(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- C-10-18 InGaP/GaAs HBT直流安全動作領域限界
- 超高速微細InGaP/GaAs HBTの特性と回路応用
- WSi/Tiベース電極を用いた絶縁膜埋め込み型微細InGap/GaAsHBT
- ドライエッチングにより作製した微細 AlGaAs/GaAs ヘテロ接合バイポーラトランジスタの信頼性評価