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(株)半導体理工学研究センター | 論文
- プロセスばらつきや温度耐性を向上した45nm SoC向け混載SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 65nm SoC向け混載SRAMでの動作マージン改善回路(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 超高集積を実現した65nmテクノロジのSoC向けデュアルポートSRAMの開発(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 65nm SoC向け混載SRAMでの動作マージン改善回路
- 超高集積を実現した65nmテクノロジのSoC向けデュアルポートSRAMの開発
- 局所的な閾値電圧ばらつきに対するSRAM安定動作解析手法(新メモリ技術とシステムLSI)
- 9.極低電圧動作による低エネルギーLSI(エレクトロニクスの多様化を支える新デバイス技術-2020年を見据えて-)
- 27aYH-8 Siホールサブバンドの有効質量(結晶成長,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 26pPSB-20 Si(110)表面へのPb吸着構造のRHEED観察(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 26pPSB-4 高分解能角度分解光電子分光によるGaSb(001)表面近傍の電子状態(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 65nm SoC向け混載SRAMでの動作マージン改善回路(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- マイクロプロセッサにおける基板ノイズの評価と解析(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
- DAC2004報告 : 物理設計技術(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- [特別招待論文]物理設計完全性を目指した配線方式(回路技術(一般,超高速・低電力・高機能を目指した新アーキテクチャ))
- [特別招待論文]物理設計完全性を目指した配線方式
- 超高集積を実現した65nmテクノロジのSoC向けデュアルポートSRAMの開発(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- D-10-16 統計的タイミング情報に基づく適応型テスト(D-10. ディペンダブルコンピューティング,一般セッション)
- D-10-17 適応型テストにおけるクリティカルパスのクラスタリング手法(D-10. ディペンダブルコンピューティング,一般セッション)
- 半導体及びそれを搭載したボードの雑音解析について
- 検出可能な遅延故障サイズを考慮した遅延故障診断法(ディペンダブルコンピューティング)
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