足立 実 | 東工大理
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概要
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東工大理
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高口 雅成
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長田 和彦
東工大理
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堀 陽一
東工大理
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劉 冠華
理研
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D Mikolas
ミシガン州立大学
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D.J Morrissey
ミシガン州立大学
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W.-D Schmidt-Ott
ゲッチンゲン大
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ミシガン州立大学
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GANIL
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Univ.Goettingen
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理研
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SMI
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筑波大
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理研
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古野 興平
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森信 俊平
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理研
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東北大サイクロ
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Schmidt-Ott W.-D.
ゲッチンゲン大
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蔵 純平
東工大理
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宮武 宅也
阪大教養
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D Beaumel
オルセー原子核研究所
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佐川 弘幸
東大理
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Beaumel D.
オルセー原子核研究所
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Mikolas D.
ミシガン州立大学
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細田 剛司
筑波大物理
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牧島 章泰
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飯塚 勝
東工大理
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飯塚 勝
東工大・理
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会津大
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Mikolas D.
Msu
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青井 孝
東大理
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Morrissey D.
MSU
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阮 健治
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阮健 治
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田中 万博
Kek:大阪大
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鈴木 孝幸
名工大工
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菊池 士郎
原研
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峰原 英介
原研
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岩崎 雅彦
東大理
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大竹 暁
東大理
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秋葉 康之
東大理
著作論文
- 1a JA-7 ECLIPSEを用いたCAMAC ベースの東工大データ処理装置. III
- 12p-E-3 バンデグラフ加速器による励起関数の自動測定
- 12a-A-8 新遷移領域における2核子移行反応 ^Ru(p,t)
- 30p-KM-10 イラストアイソマーg因子測定
- 3a-J-3 中性子過剰核^B, ^Bの電気四重極モーメントの測定
- 4a-PS-6 入射核破砕反応の偏極現象を用いた^Fの磁気モーメントの測定
- 30p-N-12 ^B,^Bのg-factorの測定
- 28a-SG-2 ^Beの全反応断面積と密度分布
- 30a-SH-8 ^N (111Mev/u)+^Auの反応における入射核破砕の偏極度の測定
- 30a-GE-2 ^_Se_,^_Se_のハンド構造
- 2a SA-2 ^C(p,p)弾性散乱における制動幅射の検出と time-delay-II
- 13a-D-13 中間エネルギー重イオン反応を用いた偏極二次ビーム生成
- 10a-KB-13 Stopped K^- によるハイパー核生成 II
- 31a-NB-6 EO transitions in ^Se measured with a mechanical lifetime filter
- 12a-KB-9 イラストアイソマーのg因子測定-(II) (^Er,^Ra)
- 2a-EC-12 ^Pb(^c,4nα)反応を用いた^_Ra_の核構造の研究
- 2a-EC-9 重イオン融合反応による^Smの核構造の研究
- 2a-EC-1 Tilted foil法による^Ne(2,^+)状態の原子偏極と磁気モーメントの研究
- 11p-KB-6 ^Dy(p,nγ)^Ho反応による(p,n)反応Q値の精密測定と電子ニュートリノの質量
- 28a-KM-3 ^C+p(J^π=1/2^+, 3/2^-, 5/2^+) 共鳴近傍に於ける制動輻射と時間遅延
- 1a-K-6 ^C(p, p)の461KeV(1/2^+)共鳴近傍における制動輻射と時間遅延
- 21p-D-3 中性子過剰核^Nの磁気モーメント、電気四重極モーメントの測定
- 29a-SF-7 不安定核の偏極を目的とした偏極キセノン固体の生成
- 29a-SF-6 ^Fの磁気モーメントの精密測定
- 29p-PSA-16 ^Bのβ崩壊における第1禁止遷移強度の測定
- 29p-PSA-8 光ポンピング法を用いたキセノン核スピンの偏局II
- 30a-H-4 入射核破砕反応におけるスピン偏極現象を利用した^Nの磁気モーメント測定
- 28p-ZK-3 磁場を印加した垂直薄膜による原子円偏光
- 5a-C-5 ^Tbのg因子測定
- 2p-H-13 ビーム薄膜励起による^Nの原子及び核偏極の研究
- 2p-H-11 ^Raの核構造II
- 2a-EC-13 ^Raの励起準位のg因子測定
- 12p-D-5 ビーム薄膜分光法による原子偏極の研究
- 4a-H-6 ^Alの第二励起準位の磁気モーメント(II)
- 3p-AG-4 Sn,Ce,Pb 領域における中性子ホールアナログ状態の巾
- 1p-SB-8 Z=50近傍の奇-奇核の準位構造 II ^Cd(P,nγ)^Inによる^In
- 6a-D-11 DSAMによる^Mnの励起準位の寿命測定
- 27a-A-4 インビームγ線スペクトロスコピーによる^Eu_中の励起回転バンドの観測
- 30a-MC-13 ^Ni(p, d)^Ni反応による^Niの構造
- 30a-MC-12 ^Ni(p, d)^Ni反応による^Niの構造
- 30a-MC-11 ^Cr(p, d)^Cr反応における中性子ホールアナログ状態の微細構造
- 3a-AG-11 Cr,Fe領域における中性子ホールアナログ状態の微細構造
- 10a-YA-14 ^Ni,^Ni,^Ni,^Ni(p,d)におけるホールアナログ状態微細構造の規則性
- 10a-YA-13 Zr,Mo領域のホール・アナログ状態の微細構造 (Line-Broadening)
- 9a-Q-9 ^Mo(p,t)反応
- 4p-C-7 パルス化ビームによる^Ag215KeV及び^Ag118.7KeV準位の寿命とg因子測定
- 3a-C-5 ^Alの第二励起準位の磁気モーメント
- 11a-E-7 パルス化ビーム法によるSe,Br,Krの核寿命測定
- 9a-Q-10 ^Ba(p,t)反応
- 8p-B-9 N=82 核:Ba^, Nd^に対する(p, d)反応
- 8p-B-7 N=50核:^Sr, ^Mo, N=82核: ^Ba, ^Ndに対する(p, t)反応
- 8p-B-5 N=28核:^Ca, N=50核:^Sr, ^Moに対する(p, d)反応
- 3a-Q-9 N=50付近の核に於ける(p,d)反応の解析
- 6a-H-6 半導体レーザーによる^Xe核偏極装置の開発