放射光励起走査トンネル顕微鏡による高分解能元素分析イメージング (第29回表面科学学術講演会特集号(3))
スポンサーリンク
概要
著者
-
江口 豊明
東京大学物性研究所
-
秋山 琴音
東京大学物性研究所
-
奥田 太一
広島大学放射光科学研究センター
-
木下 豊彦
高輝度光科学研究センター利用研究促進部門
-
長谷川 幸雄
高輝度光科学研究センター(JASRI)
関連論文
- 23pHL-3 Si(111)1x1水素終端面の角度分解共鳴光電子分光(23pHL 光電子分光(表面・薄膜・低次元物質・新分光法),領域5(光物性))
- 24pYH-12 MSi(M=Mn,Co)の角度分解光電子分光2(光電子分光(表面・超薄膜・低次元物質),領域5,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 21aTK-1 MSi(M=Mn,Co)の角度分解光電子分光(光電子分光(超伝導体・強相関係),領域5,光物性)
- 27aYG-10 BiSb合金超薄膜の電子状態及び輸送特性(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 27aYG-9 トポロジー絶縁体Bi_Sb_x合金(x=0.04,0.13)電子状態のSbドープ量依存に対する研究(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 角度分解光電子分光によるFeSi (001) およびCoSi (001) の価電子帯構造の研究
- 26aXA-10 角度分解光電子分光によるFeSiの価電子帯構造(光電子分光(超伝導・強相関・磁性),領域5,光物性)
- 30aTL-3 シリコンの光電子分光 : ボロン濃度依存性II(30aTL ダイヤモンド超伝導他,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 20aQE-7 シリコンの光電子分光 : ボロン濃度依存性(20aQE ダイヤモンド・Si超伝導,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 25pWB-2 Yb/Si(001)2×3表面における電子状態および構造(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 24aPS-124 Yb吸着によりSi(111)表面上に誘起された(3×2)超構造の電子状態(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 27pYB-10 Si(111)-√×√-Ag表面によるナノサイズリング構造の作成と評価(27pYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 30aYE-9 Au(111)表面上のPd薄膜における表面準位(表面界面電子物性(金属・有機))(領域9)
- 27aWP-12 放射光励起STMの開発と性能評価(2)(表面界面電子物性(半導体・無機))(領域9)
- 21aYD-5 放射光励起 STM の開発と性能評価
- 20aPS-75 AFM を用いた陽極酸化
- 29pZH-9 S/GaAs (100) 上の Co クラスターの光電子分光
- 27pTX-12 高分解能スピン分解光電子分光によるBi_Sb_x量子スピンホール相の研究(27pTX 量子ホール効果/半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26pXP-8 放射光PEEMを用いた,NiOの高分解能Ni-L端吸収スペクトルとMLD(領域5, 領域3, 領域8合同招待講演,領域5(光物性))
- 24aXB-1 放射光励起STMによる元素分析(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 18aTG-4 Tl/Ge(111)-(3×1)表面の原子構造および電子状態(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 放射光励起走査トンネル顕微鏡の開発
- 21aPS-17 Tl吸着Ge(111)表面の電子状態(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aPS-14 角度分解光電子分光法によるGe(111)3×1-Tl表面の電子状態の研究(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aXB-1 高効率スピン分解光電子分光装置の開発の現状(光電子分光・放射光真空紫外分光・軟X線発光・散乱,領域5(光物性))
- 実験技術 低速電子回折型電子スピン検出器を用いた高分解能スピン・角度分解光電子分光
- 30pRD-3 Si(111)1次元表面超構造上Ag薄膜の量子井戸状態・III(30pRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 30pRD-2 スピン・角度分解光電子分光による(√×√)BiAg/Ag量子薄膜の研究(30pRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 29pVA-3 高効率スピン分解光電子分光によるFe_3O_4/MgO(001)薄膜の研究(29pVA 光電子分光(表面・薄膜・低次元物質等),領域5(光物性))
- 24pYH-7 超低速電子線回折を用いた高効率スピン分解光電子分光装置の開発II(光電子分光(表面・超薄膜・低次元物質),領域5,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 26pTD-5 Si(111)一次元表面超構造上に形成された金属薄膜の電子状態(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 23pPSA-19 超低速電子線回折を用いた高効率スピン分解光電子分光装置の開発(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
- 24pXJ-9 Si(111)一次元表面超構造上のAg薄膜の量子井戸状態(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 20pZA-8 角度分解光電子分光法によるMnSi(100)の電子状態の研究(光電子分光・逆光電子分光・軟X線発光・理論,領域5,光物性)
- 14aXD-2 SR-PEEM による酸素 K 吸収端での NiO(100) 表面の反強磁性磁区ドメイン観察(表面・界面磁性, 領域 3)
- 14aXD-2 SR-PEEM による酸素 K 吸収端での NiO(100) 表面の反強磁性磁区ドメイン観察(表面・界面磁性, 領域 9)
- 26aYG-2 酸素吸着Ti/Si(001)表面の構造と電子状態II(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 22pPSA-6 Si(001)表面におけるTiシリサイド形成過程へのサーファクタント効果の検討(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22aXA-5 酸素吸着Ti/Si(001)表面の構造と電子状態(22aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 表面二次元電子系に遮蔽されたポテンシャルの走査トンネル分光による実空間観察
- 29pYB-10 水晶-長辺振動振動子を用いた極低温非接触原子間力顕微鏡の開発(29pYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22aXF-9 Si(111)-√×√-Ag表面における表面局所ポテンシャルの測定(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aWF-1 極低温走査トンネル顕微鏡によるナノサイズ超伝導系の研究(微小超伝導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- Ge/Si(105)表面の原子間力顕微鏡観察
- 25pWB-4 極低温超高真空STMを用いたPb/Si(111)における超伝導ギャップとその膜厚依存測定(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 28pWP-2 Ge/Si(105)-2×1表面の高分解能AFM観察(表面界面構造(半導体))(領域9)
- 26aTD-2 Ti/Si(001)表面におけるシリサイド形成過程と局所電子状態の考察(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 長辺振動水晶振動子を用いた周波数変調原子間力顕微鏡による原子分解能観察(最新の超音波計測技術)
- 放射光励起走査トンネル顕微鏡による高分解能元素分析イメージング (第29回表面科学学術講演会特集号(3))
- 低速電子回折型電子スピン検出器を用いた高分解能スピン・角度分解光電子分光(実験技術)
- 29pPSB-40 テンプレート効果とCoシリサイドクラスターの原子・電子構造の研究(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 放射光励起走査トンネル顕微鏡による高分解能元素分析イメージング
- 22pPSA-76 Alナノクラスター表面相上のCoクラスターの原子・電子構造研究(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- ラシュバ分裂した表面状態との混成により誘起された金属量子井戸状態のスピン分裂
- 22aXB-10 Alナノクラスター表面相上のCoクラスターの原子・電子構造研究IV(表面界面構造,22aXB 微粒子・クラスタ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24pPSA-8 Alナノクラスター表面相上のCoクラスターの原子・電子構造研究III(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 酸素ラジカルを用いて形成したSiO_2/Si界面における組成遷移と価電子帯オフセットの基板面方位依存性(プロセス科学と新プロセス技術)
- 25aWX-5 Si(557)-Auにおける一次元金属表面状態のスピン分解光電子分光(25aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 14aXG-6 Ag/Ge(001) 表面における表面合金形成過程 II(表面界面電子物性, 領域 9)
- 走査トンネル顕微鏡(STM)によるGaAs(001)表面の研究 [II]
- 走査トンネル顕微鏡(STM)によるGaAs(001)表面の研究[I]
- 24aPS-118 分光型光電子・低エネルギー電子顕微鏡と放射光を用いる表面研究(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 27aWP-13 希釈冷凍機冷却による超低温STMの開発(表面界面電子物性(半導体・無機))(領域9)
- 26pXP-11 高効率スピン分解光電子分光装置の開発の現状(領域5, 領域3, 領域8合同招待講演,領域5(光物性))
- 光電子顕微鏡(PEEM)による微小磁性体および磁性体薄膜の磁区観察
- 23aWX-8 チタン薄膜直下におけるSi(001)酸化促進反応の解析(23aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- SPring-8 における分光型光電子・低エネルギー電子顕微鏡装置の導入と軟X線を利用した立ち上げ実験
- 高効率スピン分解光電子分光装置の開発と表面研究への応用
- 高分解能AFM観察に及ぼす短距離力の寄与
- 29aZF-4 Si(111)-(7×7) 表面の高分解能 AFM 観察
- 27pPSA-12 高効率スピン分解光電子分光による表面電子状態のスピン構造の直接測定(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23pPSB-3 低温型独立駆動4探針STMによるSi(111)4×1-In上Ag薄膜の輸送特性測定III(23pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 放射光励起走査トンネル顕微鏡による高分解能元素分析
- Direct observation of twin domains of NiO(100) by x-ray linear dichroism at the O K edge using photoemission electron microscopy
- 25aYH-9 空間反転対称性の破れた超伝導体CaIrSi_3の電子状態(25aYH 超伝導物質,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 25pBJ-3 トポロジカル絶縁体TlBiSe_2の放射光を用いたスピン角度分解光電子分光(25pBJ トポロジカル絶縁体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pBJ-7 MnドープBi_2Te_3の内殻吸収円二色性分光(25pBJ トポロジカル絶縁体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24pYF-1 硬・軟X線回折によるDyMnO_3薄膜の磁気構造の観測(24pYF マルチフェロイクス(Mn・Fe・Cu系),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 24aYF-5 共鳴軟X線回折で見たSrFe_Co_xO_3の磁気構造のCo置換量依存性(24aYF Fe酸化物・Mn酸化物(電荷秩序・軌道秩序など),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 27aBB-2 高機能・高効率スピン角度分解光電子分光が開くスピン電子物性研究の新時代(27aBB 領域9,領域5合同シンポジウム:放射光光電子分光による最先端表面研究,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 19aEA-11 MnドープBi_2Se_3の磁性と電子状態(19aEA トポロジカル絶縁体(Bi_2Se_3とその関連系),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aPSB-32 磁場印加下でのSrFe_Co_O_3の共鳴軟X線回折(21aPSB 領域8ポスターセッション(低温3),領域8(強相関系:高温超伝導強相関f電子系など))
- 19aEA-10 Bi_2Te_2Se及びBi_2Se_2Teのスピン分解光電子分光(19aEA トポロジカル絶縁体(Bi_2Se_3とその関連系),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 18pGB-5 硬X線光電子分光によるSrIrO_3/SrTiO_3超格子薄膜の電子状態観測(18pGB Ir酸化物・Fe酸化物・Cr化合物,領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 24pCK-2 Bi(111)表面のC_対称性による異方的Rashba効果(24pCK 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28pXK-3 W(110)表面電子状態のC_対称性による平らなディラックコーン(28pXK 表面界面電子物性・金属,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26aXK-4 トポロジカル絶縁体TlBiSe_2のバルクキャリア制御された単結晶育成と表面状態の観測(26aXK 表面界面電子物性・トポロジカル,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26aXK-2 トポロジカル絶縁体Bi_2Te_2Seのスピン偏極表面電子状態(26aXK 表面界面電子物性・トポロジカル,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28pPSA-39 高分解能3次元スピン分解光電子分光装置の開発(28pPSA 領域5ポスターセッション(新光源・新分光法・微粒子・ナノ結晶ほか),領域5(光物性))
- 28pXG-7 バルクキャリアドーピングによるTlBiSe_2トポロジカル表面状態のスピンヘリシティ制御(28pXG トポロジカル絶縁体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28pXG-6 トポロジカル絶縁体GeBi_2T_4のスピン角度分解光電子分光(28pXG トポロジカル絶縁体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- Bi₂Te₂SeとBi₂Se₂Teの高効率スピン角度分解光電子分光 (第32回表面科学学術講演会特集号(1))
- 25aJA-5 トポロジカル絶縁体Bi_2Te_2Seの巨大Rashba効果(トポロジカル表面,領域9(表面・界面,結晶成長))
- Bi_2Te_2SeとBi_2Se_2Teの高効串スピン角度分解光電子分光