高効率スピン分解光電子分光装置の開発と表面研究への応用

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 日本表面科学会の論文
• 2009-06-10

著者

• 奥田 太一

  東京大学物性研究所

• 奥田 太一

  広島大学放射光科学研究センター

• 奥田 太一

  広大放射光セ・先端計測

関連論文

• 23pHL-8 1/2原子層Bi吸着したW(110)のスピン偏極表面電子状態(23pHL 光電子分光(表面・薄膜・低次元物質・新分光法),領域5(光物性))
• 20pGQ-5 Geに由来する表面状態のRashbaスピン分裂構造(20pGQ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 20pGJ-1 光電子顕微鏡によるNiO反強磁性磁壁内スピン構造の観察(20pGJ 磁壁,磁化ダイナミクス,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 23pHL-3 Si(111)1x1水素終端面の角度分解共鳴光電子分光(23pHL 光電子分光(表面・薄膜・低次元物質・新分光法),領域5(光物性))
• 24pYH-12 MSi(M=Mn,Co)の角度分解光電子分光2(光電子分光(表面・超薄膜・低次元物質),領域5,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21aTK-1 MSi(M=Mn,Co)の角度分解光電子分光(光電子分光(超伝導体・強相関係),領域5,光物性)
• 27aYG-10 BiSb合金超薄膜の電子状態及び輸送特性(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 27aYG-9 トポロジー絶縁体Bi_Sb_x合金(x=0.04,0.13)電子状態のSbドープ量依存に対する研究(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 角度分解光電子分光によるFeSi (001) およびCoSi (001) の価電子帯構造の研究
• 26aXA-10 角度分解光電子分光によるFeSiの価電子帯構造(光電子分光(超伝導・強相関・磁性),領域5,光物性)
• 光電子頭微鏡による反強磁性NiOの磁壁構造の直接観察
• 30aTL-3 シリコンの光電子分光 : ボロン濃度依存性II(30aTL ダイヤモンド超伝導他,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 26pXA-12 X線磁気二色性,線二色性,及び光電子顕微鏡を用いたNiO(100)における反強磁性磁区構造の詳細観察(新分光法,MCD/MLD,領域5,光物性)
• 27aYG-6 4/3原子層鉛吸着したGe(111)表面のスピン分裂した電子状態(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 20aQE-7 シリコンの光電子分光 : ボロン濃度依存性(20aQE ダイヤモンド・Si超伝導,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 25pWB-2 Yb/Si(001)2×3表面における電子状態および構造(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 24aPS-124 Yb吸着によりSi(111)表面上に誘起された(3×2)超構造の電子状態(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 30aYE-9 Au(111)表面上のPd薄膜における表面準位(表面界面電子物性(金属・有機))(領域9)
• 27pTX-12 高分解能スピン分解光電子分光によるBi_Sb_x量子スピンホール相の研究(27pTX 量子ホール効果/半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26pXP-8 放射光PEEMを用いた,NiOの高分解能Ni-L端吸収スペクトルとMLD(領域5, 領域3, 領域8合同招待講演,領域5(光物性))
• 24aXB-1 放射光励起STMによる元素分析(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 18aTG-4 Tl/Ge(111)-(3×1)表面の原子構造および電子状態(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 放射光励起走査トンネル顕微鏡の開発
• 21aPS-17 Tl吸着Ge(111)表面の電子状態(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aPS-14 角度分解光電子分光法によるGe(111)3×1-Tl表面の電子状態の研究(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aXB-1 高効率スピン分解光電子分光装置の開発の現状(光電子分光・放射光真空紫外分光・軟X線発光・散乱,領域5(光物性))
• 実験技術 低速電子回折型電子スピン検出器を用いた高分解能スピン・角度分解光電子分光
• ラシュバ分裂した表面状態との混成により誘起された金属量子井戸状態のスピン分裂
• 30pRD-3 Si(111)1次元表面超構造上Ag薄膜の量子井戸状態・III(30pRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 30pRD-2 スピン・角度分解光電子分光による(√×√)BiAg/Ag量子薄膜の研究(30pRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 29pVA-3 高効率スピン分解光電子分光によるFe_3O_4/MgO(001)薄膜の研究(29pVA 光電子分光(表面・薄膜・低次元物質等),領域5(光物性))
• 24pYH-7 超低速電子線回折を用いた高効率スピン分解光電子分光装置の開発II(光電子分光(表面・超薄膜・低次元物質),領域5,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 26pTD-5 Si(111)一次元表面超構造上に形成された金属薄膜の電子状態(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 23pPSA-19 超低速電子線回折を用いた高効率スピン分解光電子分光装置の開発(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
• 24pXJ-9 Si(111)一次元表面超構造上のAg薄膜の量子井戸状態(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 20pZA-8 角度分解光電子分光法によるMnSi(100)の電子状態の研究(光電子分光・逆光電子分光・軟X線発光・理論,領域5,光物性)
• 14aXD-2 SR-PEEM による酸素 K 吸収端での NiO(100) 表面の反強磁性磁区ドメイン観察(表面・界面磁性, 領域 3)
• 14aXD-2 SR-PEEM による酸素 K 吸収端での NiO(100) 表面の反強磁性磁区ドメイン観察(表面・界面磁性, 領域 9)
• 26aYG-2 酸素吸着Ti/Si(001)表面の構造と電子状態II(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 22pPSA-6 Si(001)表面におけるTiシリサイド形成過程へのサーファクタント効果の検討(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22aXA-5 酸素吸着Ti/Si(001)表面の構造と電子状態(22aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26aTD-2 Ti/Si(001)表面におけるシリサイド形成過程と局所電子状態の考察(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 放射光励起走査トンネル顕微鏡による高分解能元素分析イメージング (第29回表面科学学術講演会特集号(3))
• 低速電子回折型電子スピン検出器を用いた高分解能スピン・角度分解光電子分光(実験技術)
• 30pRD-5 Au/Ge(001)表面の電子状態II(30pRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27aYG-7 Bi/Ge(111)-"2×1"表面の原子構造と電子状態(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• Hexagonally Deformed Fermi Surface of the 3D Topological Insulator Bi_2Se_3
• 29pPSB-40 テンプレート効果とCoシリサイドクラスターの原子・電子構造の研究(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 放射光励起走査トンネル顕微鏡による高分解能元素分析イメージング
• 表面上の2次元吸着原子ガス相と内殻光電子分光
• 22pPSA-76 Alナノクラスター表面相上のCoクラスターの原子・電子構造研究(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• ラシュバ分裂した表面状態との混成により誘起された金属量子井戸状態のスピン分裂
• 22aXB-10 Alナノクラスター表面相上のCoクラスターの原子・電子構造研究IV(表面界面構造,22aXB 微粒子・クラスタ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24pPSA-8 Alナノクラスター表面相上のCoクラスターの原子・電子構造研究III(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 24aPS-40 Bi/Si(001)のスピン分解角度分解光電子分光(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25aWX-5 Si(557)-Auにおける一次元金属表面状態のスピン分解光電子分光(25aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25aWX-10 トポロジカル絶縁体Bi_2Se_3における表面・バルク電子散乱(25aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25aWX-6 三次元トポロジカル絶縁体Bi_2Se_3の異方的なフェルミ面(25aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aXA-12 トポロジカル絶縁体Bi_2Se_3のフェルミ面と表面電子散乱(24aXA 量子ホール効果,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 14aXG-6 Ag/Ge(001) 表面における表面合金形成過程 II(表面界面電子物性, 領域 9)
• 24aPS-118 分光型光電子・低エネルギー電子顕微鏡と放射光を用いる表面研究(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 26pXP-11 高効率スピン分解光電子分光装置の開発の現状(領域5, 領域3, 領域8合同招待講演,領域5(光物性))
• 光電子顕微鏡(PEEM)による微小磁性体および磁性体薄膜の磁区観察
• 23aWX-8 チタン薄膜直下におけるSi(001)酸化促進反応の解析(23aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25aWX-2 W(110)表面におけるスピン軌道誘起バンドギャップ中のRashba型スピン偏極表面状態(25aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aPS-39 Ag吸着によるBi(111)表面スピン電子状態への影響(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 高効率スピン分解光電子分光装置の開発と表面研究への応用
• スピン分解光電子フェルミ面マッピング
• 磁気構造観察用放射光光電子顕微鏡(SR-PEEM)の開発
• ミクロンサイズ磁気円盤配列における磁気ダイナミクスの時間分解光電子顕微鏡観測
• 26aHG-2 トポロジカル絶縁体三元カルコゲナイドの放射光角度分解光電子分光(26aHG トポロジカル絶縁体(表面状態/輸送現象),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27pPSA-12 高効率スピン分解光電子分光による表面電子状態のスピン構造の直接測定(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28aHB-8 高効率スピン検出器を備えたスピン分解光電子分光装置の開発とその性能評価(28aHB 放射光真空紫外分光・MCD・光電子分光(強相関係・スピン分解・理論等),領域5(光物性))
• 26aTH-9 高分解能スピン分解光電子分光を用いたBi(111)表面スピン電子状態の観測(26aTH 領域9,領域4,領域5合同招待講演,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26aHG-3 Controlling the topological surface states of Bi_2Se_3 by guest atoms intercalation
• 23pPSB-3 低温型独立駆動4探針STMによるSi(111)4×1-In上Ag薄膜の輸送特性測定III(23pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23aJB-2 W(110)のスピン偏極表面電子構造における異方的ディラックコーン(23aJB 表面界面構造(金属・無機化合物),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 放射光励起走査トンネル顕微鏡による高分解能元素分析
• 「高輝度放射光が明かす原子・分子・クラスター・表面科学(放射光と環境科学)」
• Direct observation of twin domains of NiO(100) by x-ray linear dichroism at the O K edge using photoemission electron microscopy
• 25aYH-9 空間反転対称性の破れた超伝導体CaIrSi_3の電子状態(25aYH 超伝導物質,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 25pBJ-3 トポロジカル絶縁体TlBiSe_2の放射光を用いたスピン角度分解光電子分光(25pBJ トポロジカル絶縁体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pBJ-7 MnドープBi_2Te_3の内殻吸収円二色性分光(25pBJ トポロジカル絶縁体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 24pYF-1 硬・軟X線回折によるDyMnO_3薄膜の磁気構造の観測(24pYF マルチフェロイクス(Mn・Fe・Cu系),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 24aYF-5 共鳴軟X線回折で見たSrFe_Co_xO_3の磁気構造のCo置換量依存性(24aYF Fe酸化物・Mn酸化物(電荷秩序・軌道秩序など),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 27aBB-2 高機能・高効率スピン角度分解光電子分光が開くスピン電子物性研究の新時代(27aBB 領域9,領域5合同シンポジウム:放射光光電子分光による最先端表面研究,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 19aEA-11 MnドープBi_2Se_3の磁性と電子状態(19aEA トポロジカル絶縁体(Bi_2Se_3とその関連系),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aPSB-32 磁場印加下でのSrFe_Co_O_3の共鳴軟X線回折(21aPSB 領域8ポスターセッション(低温3),領域8(強相関系:高温超伝導強相関f電子系など))
• 19aEA-10 Bi_2Te_2Se及びBi_2Se_2Teのスピン分解光電子分光(19aEA トポロジカル絶縁体(Bi_2Se_3とその関連系),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 18pGB-5 硬X線光電子分光によるSrIrO_3/SrTiO_3超格子薄膜の電子状態観測(18pGB Ir酸化物・Fe酸化物・Cr化合物,領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 24pCK-2 Bi(111)表面のC_対称性による異方的Rashba効果(24pCK 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28pXK-3 W(110)表面電子状態のC_対称性による平らなディラックコーン(28pXK 表面界面電子物性・金属,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26aXK-4 トポロジカル絶縁体TlBiSe_2のバルクキャリア制御された単結晶育成と表面状態の観測(26aXK 表面界面電子物性・トポロジカル,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26aXK-2 トポロジカル絶縁体Bi_2Te_2Seのスピン偏極表面電子状態(26aXK 表面界面電子物性・トポロジカル,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28pPSA-39 高分解能3次元スピン分解光電子分光装置の開発(28pPSA 領域5ポスターセッション(新光源・新分光法・微粒子・ナノ結晶ほか),領域5(光物性))
• 28pXG-7 バルクキャリアドーピングによるTlBiSe_2トポロジカル表面状態のスピンヘリシティ制御(28pXG トポロジカル絶縁体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28pXG-6 トポロジカル絶縁体GeBi_2T_4のスピン角度分解光電子分光(28pXG トポロジカル絶縁体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• Bi₂Te₂SeとBi₂Se₂Teの高効率スピン角度分解光電子分光 (第32回表面科学学術講演会特集号(1))
• 25aJA-5 トポロジカル絶縁体Bi_2Te_2Seの巨大Rashba効果(トポロジカル表面,領域9(表面・界面,結晶成長))
• Bi_2Te_2SeとBi_2Se_2Teの高効串スピン角度分解光電子分光

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク