表面電子分光法における信号の減衰は如何に記述されるか?(2)誘電関数とIMFP
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- 半球型電子分光器を搭載したオージェ電子分光装置のジオメトリー特性と傾斜ホルダーを利用した超高深さ分解能オージェ深さ方向分析 (第34回表面分析研究会講演資料)
- IUVSTA Scientific and Technical Divisions (STD) の報告
- フィールド・エミッション電子銃を搭載した波長分散型サブミクロンEPMAの開発
- 二酸化シリコン薄膜(SiO_2)の電子線照射損傷を定量的に評価する
- EPMA散布図分析を応用したNi-P無電解メッキとはんだ接合域の解析(I)
- 超軟X線分光におけるLi Kα強度への化学状態の影響
- 電子線励起超軟X線分光分析装置の開発
- XPSによる表面分析入門
- ラボ用硬X線光電子分光装置の開発
- 実用電子分光法講座 第2回講義メモ(1993.5.31) (特集:VAMAS-SCA Japan復刻版(1989,1994)) -- (実用電子分光法講座(1994年1月))
- 実用電子分光法講座 第一回講義メモ(1993.2.4) (特集:VAMAS-SCA Japan復刻版(1989,1994)) -- (実用電子分光法講座(1994年1月))
- フィールド・エミッション電子銃を搭載した波長分散型サブミクロンEPMAの開発
- 電子線照射によるSiO_2/Si試料損傷の低エネルギーオージェピークを用いた定量的評価
- AESによるSiO2/Si試料表面の電子線照射損傷評価〔含 質疑〕
- AESによる非破壊計測--Si/BN多層膜 (表面分析研究会 第35回研究会 講演資料)
- 標準物質と表面分析の標準化(1) (表面分析研究会 第35回研究会 講演資料)
- VAMAS活動における日中韓3カ国国際協力の会議報告
- Calculations of electron inelastic mean free paths (9) Data for 41 elemental solids over the 50 eV to 30 keV range (2009年度実用表面分析講演会(PSA-09)講演資料)
- 話題 ISOにおけるAESのエネルギー軸校正法
- XPSエネルギー軸目盛りの較正法に関するISO規格"表面化学状態分析-X線光電子分光装置-エネルギー軸目盛りの較正(ISO15472)"
- 電子分光法による表面分析の動向
- 表面分析の復権
- オージェ電子分光法, X線光電子分光法による表面定量分析の国際標準化
- 電子分光法による表面分析における信号強度の減衰
- X線光電子分光法およびオージェ電子分光法による定量分析の標準化
- 電子分光法の標準化
- 表面電子分光法における電子の散乱効果の研究
- X線光電子分光法における有機化合物のX線照射試料損傷評価法の開発.ラウンドロビン試験結果
- オージェ電子分光法、X線光電子分光法 (解説 ISO/TC201表面化学分析の現状と動向)
- 原子間力顕微鏡を用いたReRAMフィラメントの物性解析(不揮発性メモリ,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- 表面分析が産業界に果たした役割
- 講義 表面電子分光法における信号の減衰は如何に記述されるか?(3)XPSおよびAESによる表面定量分析法
- 表面電子分光法における信号の減衰は如何に記述されるか?(2)誘電関数とIMFP
- 表面電子分光法における信号の減衰は如何に記述されるか?(1)概要
- PSA-01(Practical Surface Analysis 2001)
- 信号の脱出過程の基礎 (特集:VAMAS-SCA Japan復刻版(1989,1994)) -- (実用電子分光法講座(1994年1月))
- 関根哲氏をしのぶ
- 傾斜試料ホルダーを用いた極低角度電子・イオン入射による超高深さ分解能オージェ深さ方向分析
- オージェ電子分光法における背面散乱補正(1)広い分析条件で使用可能な電子の背面散乱補正式の開発
- 感度係数法による表面定量分析の現状と課題 (第38回表面分析研究会講演資料)