Investigation of the Fabrication Parameters Affecting the Cathodoluminescence Property of ZnAl2O4:Mn Green Phosphors
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
We investigated systematically the effects of fabrication parameters on the luminescent property of ZnAl2O4:Mn phosphor, which emits a highly chromatic pure green light. The samples used were synthesized in the air at 1200 °C by a solid phase method using ZnO, $\alpha$-Al2O3, and MnCl2 or MnCO3 powders, followed by thermal treatment in a reducing atmosphere at temperatures ($T_{\text{r}}$) from 800 to 1200 °C. We confirmed that the cathodoluminescence (CL) property of the as-synthesized sample strongly depends on the molar ratio of Zn and Al atoms in the source ($R_{\text{Zn/Al}}$). Namely, intense CL was observed only from the samples synthesized from the source with $R_{\text{Zn/Al}} < 0.5$, indicating that the Zn-deficient conditions are favorable for Mn impurities to be incorporated into the Zn site of ZnAl2O4. More importantly, it is suggested from the $T_{\text{r}}$ dependence of CL that most of the Mn impurities in the samples synthesized under the Zn-deficient conditions are in the state of the divalent ions even without a reduction treatment.
- 2009-09-25
著者
-
Nakanishi Yoichiro
Research Institute Of Electronics Graduate School Of Electronic Science And Technology Shizuoka Univ
-
Kominami Hiroko
Research Institute Of Electronics Shizuoka University
-
Hara Kazuhiko
Research Institute Of Electronics Shizuoka University
-
Nagura Toshiki
Research Institute Of Electronics Shizuoka University
-
Kominami Hiroko
Research Institute of Electronics, Shizuoka University, 3-5-1 Johoku, Naka-ku, Hamamatsu 432-8011, Japan
-
Nakanishi Yoichiro
Research Institute of Electronics, Shizuoka University, 3-5-1 Johoku, Naka-ku, Hamamatsu 432-8011, Japan
-
Hara Kazuhiko
Research Institute of Electronics, Shizuoka University, 3-5-1 Johoku, Naka-ku, Hamamatsu 432-8011, Japan
関連論文
- レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu薄膜蛍光体の作製と発光特性(発光型/非発光型ディスプレイ)
- 加圧焼成により作製したZnCdO粒子の構造及び発光特性(発光型/非発光型ディスプレイ)
- この40年のディスプレイ技術の変遷と将来展望について(電子ディスプレイ,エレクトロニクスソサイエティ和文論文誌500号記念論文)
- 化学気相法による六方晶BN粉末の作製(発光型/非発光型ディスプレイ)
- クエン酸ゲル法を用いて合成した近紫外線励起用赤色蛍光体La_2O_2S:Euの発光特性(発光型/非発光型ディスプレイ技術の進展)
- AS-3-6 広色域実現を目指した蛍光体の研究(AS-3.イメージメディアクオリティの基盤技術,シンポジウムセッション)
- クエン酸ゲル法によるLa_2O_2S:Eu合成における粒径制御(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 化学気相法による六方晶BN粉末の作製
- 加圧焼成により作製したZnCdO粒子の構造及び発光特性
- レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu薄膜蛍光体の作製と発光特性
- レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu薄膜蛍光体の作製と発光特性(発光型/非発光型ディスプレイ)
- 化学気相法による六方晶BN粉末の作製(発光型/非発光型ディスプレイ)
- 加圧焼成により作製したZnCdO粒子の構造及び発光特性(発光型/非発光型ディスプレイ)
- Preparation of aluminum oxide films at low temperatures by a hot wall technique
- Growth of p-type ZnSe Films by Radical Assisted MOCVD Method
- Deposition of Aluminum Nitride by Remote Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition Using Triisobutyle Aluminum
- Growth of microcrystalline Si films in cathode-type rf GD at high SiH_4 concentration
- Preparation of Polycrystalline Silicon Thin Films by Cathode-Type RF Glow Discharge Method
- Growth of Highly Oriented Silicon Films on Si(100) and Al_2O_3(0112) by Cathode-type rf Glow Discharge Method
- Growth of Y_2O_2S:Eu Thin Films by Reactive Magnetron Sputtering and Electroluminescent Characteristics
- Characteristics of Y_2O_3:Eu/ZnS/Y_2O_3:Eu Red Light Emitting Electroluminescent Devices
- Structure and Luminescent Property of Y_2O_2S:Eu Thin Films Prepared by Magnetron Sputtering
- Green Cathodoluminescence Properties of Zinc Oxide Films Prepared by Excimer Laser Irradiation of a Sol-Gel-Derived Precursor
- Low Temperature Fabrication of Thin Film Transistors using Microcrystalline Si Deposited by Cathode-Type RF Glow Discharge
- 電子線励起紫外発光ZnAl_2O_4蛍光体の焼成条件依存性(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- Mechanism of Plasma Assisted a-SiC:H Film Deposition
- Remote Plasma SiO_2 Deposition by Tetraethoxysilane with Chemically and Energetically Different Atomic Species
- 355nmレーザアニールによる希土類添加SrGa_2S_4薄膜蛍光体の作製(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- Photoluminescence property of ZnAl2O4: Mn chromatic pure green phosphors (特集 光源・照明の新潮流)
- 355nmレーザアニールによる希土類添加SrGa_2S_4薄膜蛍光体の作製
- 電子線励起紫外発光ZnAl_2O_4蛍光体の焼成条件依存性
- 白色LED照明の用途に向けた蛍光体
- 355nmレーザアニールによる希土類添加SrGa_2S_4薄膜蛍光体の作製(発光型/非発光型ディスプレイ,テーマ:ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術)
- 電子線励起紫外発光ZnAl_2O_4蛍光体の焼成条件依存性(発光型/非発光型ディスプレイ,テーマ:ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術)
- Preparation and Properties of ZnS: Ag, Cu, Cl Phosphor Powder Emitting Blue Electroluminescence
- Investigation of the Fabrication Parameters Affecting the Cathodoluminescence Property of ZnAl2O4:Mn Green Phosphors
- Luminescence Properties of Amorphous Carbon Films Formed Using Supermagnetron Plasma
- Electronic Characterization of New Bright-Blue-Light-Emitting Poly(9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl)-End Capped With Polyhedral Oligomeric Silsesquioxanes
- Photoluminescence property of ZnAl2O4: Mn chromatic pure green phosphors (特集 光源・照明の新潮流)
- Effects of H2S Treatment on Structural and Luminescent Characteristics of Blue-Emitting (Sr1-xCax)S:Cu,F Thin Films
- Green Cathodoluminescence Properties of Zinc Oxide Films Prepared by Excimer Laser Irradiation of a Sol–Gel-Derived Precursor
- Studies on the formation of magnetite colloidal dispersions in the presence of poly(vinyl alcohol).