Si-Ge二元系酸化物超微粒子の気相合成
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概要
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反応場の温度分布が均一になるように工夫した気相合成反応器を用いて, Si-Ge混合物の酸化物超微粒子を合成した.反応ガス組成の均一性を保証するために, その反応器には予混合ガスを供給した.このように, 反応ガス組成および温度の影響を実験的に調べるべく, 生成粒子の組成, 粒子中におけるSi・O・Geの結合状態, および粒子の大きさを解析した.温度範囲は1450〜1900Kとし, 反応ガス中のSi:Ge組成比は, SiとGe合わせて4mol%の条件下で0:4〜4:0とした.次の結論が得られた. 1) 粒子中のGe組成は1600〜1750Kで極大となった. 2) 粒子中のGe組成は原料ガス中のGe組成が増すとともに大きくなったが, 原料ガス中の組成は越えなかった. 3) IRスペクトルにおけるSi-O-Ge結合の吸収は1750Kの場合に最大となった.4) 下流に向かって温度が1000K以上から500K程度にまで下がる間にGeO<SUB>2</SUB>が粒子表面上に析出し, 粒子径は約2倍となった.
- 社団法人 化学工学会の論文
著者
-
上山 惟一
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
古崎 新太郎
東京大学工学部
-
上山 惟一
大阪大学大学院基礎工学研究科物質創成専攻化学工学領域
-
飯野 顕
古河電気工業 千葉研
-
松田 美一
古河電気工業
-
上山 惟一
東洋大学工学部 応用化学科
-
太田 光治
東京大学工学部 化学工学科
-
河野 尚毅
東京大学工学部 化学工学科
-
川添 英世
古河電気工業 (株) 千葉研究所
-
飯野 顕
古河電気工業 (株) 千葉研究所
-
松田 美一
古河電気工業 (株) 千葉研究所
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