SiH<SUB>4</SUB>/C<SUB>2</SUB>H<SUB>2</SUB>系からのSiC超微粒子の気相合成

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概要

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原料ガスとしてモノシランとアセチレンを用いる熱CVD法によりSiC超微粒子の気相合成を試みた.その結果, 反応温度750℃の低温でもアモルファス状SiC粒子を合成できた.また, これを1400℃で熱処理をすることにより結晶性の高い良好なβ-SiCが生成した.次に熱天秤による酸化重量変化より, 900℃以下で生成する粒子は, カーボンを主体とする核をSiCが被覆した構造の複合粒子である可能性が示された.また, SiH<SUB>4</SUB>/C<SUB>2</SUB>H<SUB>2</SUB>系からのSiC生成反応速度式として以下の式が得られた.<BR><I>r</I>=<I>k</I> [C<SUB>2</SUB>H<SUB>2</SUB>] [SiH<SUB>4</SUB>] <BR>ここで, <BR><I>k</I>=7.04×10<SUP>6</SUP>exp (-6670±50/<I>T</I>) [<I>l</I>・mol<SUP>-1</SUP>・s<SUP>-1</SUP>]
社団法人化学工学会の論文

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