熱CVD法によるSiC超微粒子の合成
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概要
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モノシランと炭化水素ガスを原料ガスとして用いた熱CVD法によるSiC超微粒子の合成実験を行った.炭化水素ガスとしてメタンを用いた場合とアセチレンを用いた場合を比較したところ前者は平均径40nmの中空状SiC粒子が生成したのに対し, 後者は平均径17nmの稠密なSiC粒子が生成した.また, 反応温度に関しては, 前者は高純度SiCを得るのに1400℃以上を必要としたが, 後者は1200℃であった.さらに, アセチレンとモノシランとの混合方式を拡散型と予混合型で比較したところ化学量論比で同一反応温度条件下では, 拡散型の方が, SiCへの転化率が上昇することがわかった.
- 社団法人 化学工学会の論文
著者
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定方 正毅
工学院大学工学部
-
定方 正毅
工学院大学工学部環境化学工学科社会エコロジー工学研究室
-
定方 正毅
群馬大学工学部
-
佐藤 正之
群馬大学工学部
-
馬場 日男
日立化成工業 (株)
-
佐賀井 武
群馬大学工学部 化学工学科
-
佐賀井 武
群馬大学工学部化学工学科
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