Ti/SiO<SUB>2</SUB>/TiSi<SUB>2</SUB>/Si系におけるTiとSiO<SUB>2</SUB>薄膜界面の高温反応-XPSによる研究-
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概要
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High temperature reaction between Ti and SiO<SUB>2</SUB> at interface in Ti/SiO<SUB>2</SUB>/TiSi<SUB>2</SUB>/Si system is studied using X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) in conjuction with argon-ion sputtering. Below 750°C, the Ti<SUB><I>x</I></SUB>Si<SUB><I>y</I></SUB> (x/y=1.0-1.2) is formed, and the thickness of SiO<SUB>2</SUB> layer is thin. Above 750°C, the TiSi<SUB>2</SUB> is formed, and relative atomic concentration of Si in SiO<SUB>2</SUB> (Si-ox) is sharply decreased. To compare the experimental results of Ti/SiO<SUB>2</SUB>/TiSi<SUB>2</SUB>/Si system with that of Ti/ SiO<SUB>2</SUB>/Si system, one found that the formation of additional TiSi<SUB>2</SUB> film will mainly be controlled by the substrate silicon atoms which diffuse to the surface layer through the grain boundary in the layer of TiSi<SUB>2</SUB> and SiO<SUB>2</SUB>.
- 日本真空協会の論文
著者
-
楊 偉毅
School Of Electronic Engineering & Optoelectronic Technology Nanjing University Of Science &
-
黒田 司
大阪大学産業科学研究所
-
黒田 司
大阪大学 産業科学研究所
-
中村 勝吾
阪大・産研
-
中村 勝吾
大阪大学産業科学研究所
-
楊 偉毅
中国南京華東工学院
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