マグネトロンイオンエッチングによってSi表面上に形成された汚染膜のX線光電子分光法による観察
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
X-ray photoelectron spectroscopy has been used to evaluate Si surfaces exposed to magnetron ion etching plasma in CCl<SUB>2</SUB>F<SUB>2</SUB> gas. Plasma exposure of Si surfaces results in the deposition of a C, Cl, and F-containing film with the thickness of 10-13Å. It was found that the surface of the contamination film consisted of C-Cl-F bondings, and that the inside consisted of C-F bondings.
- 日本真空協会の論文
著者
関連論文
- 酸素プラズマアッシングによるデバイス汚染
- Critical tubeによる種々の現象と理論づけ
- 多変量統計解析法による研究開発に必要な能力の分析 : 研究開発担当者の能力・意識・環境評価に関する研究(第2報)
- 多変量統計解析法による研究開発に必要な能力の分析 : 研究開発者担当の能力・意識・環境評価に関する研究(第1報)(1985年春季研究発表抄録)
- アルゴンプラズマエッチングを用いたフィールドエミッターの試作
- 薄膜MOSFET界面の損傷欠陥とオーミック特性
- 電界イオン顕微鏡による金属蒸着膜の研究 : 薄膜
- マグネトロンイオンエッチングによってSi表面上に形成された汚染膜のX線光電子分光法による観察
- Ti/SiO2/TiSi2/Si系におけるTiとSiO2薄膜界面の高温反応-XPSによる研究-
- Si表面におけるTiSi2の膜の成長と酸化
- W表面へ複合吸着したHg, NaIおよびI2の電界電子顕微鏡による研究
- 金属表面に吸収された酸素の効果
- 耐熱金属への酸素をセシウムの吸着 : 表面物理, 薄膜
- タングステンの清浄表面と電界蒸発機構
- 電界電子顕微鏡 (F・E・M) によるW, Re上の酸素, セシウム複合吸着の研究
- 高密度ダイナミックメモリーを用いたリフレッシュメモリーの構成法
- 酸素プラズマアッシングによるデバイス汚染
- タングステンに吸着したセシウムの電界脱離現象の研究
- 原子プローブ法によるLaB6の研究