薄膜MOSFET界面の損傷欠陥とオーミック特性
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概要
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n型シリコン(100)面に、電極となる金属をスパッタ蒸着するためにその表面に機械的加工処理を施した。その結果、機械研削を行った電極は整流性接触を示し、機械研摩を行った電極はオーミック接触を示した。これらの表面をX線回折装置及びレーザー顕微鏡を用いて解析し、その表面の結晶欠陥、加工歪、表面形状を調べ考察を加えた。
- 1993-11-19
著者
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