C-2-86 逆相フォワード結合を与える補助結合線路による方向性結合器の特性改善法(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 一般社団法人電子情報通信学会の論文
• 2013-09-03

著者

• 廣田 明道

  三菱電機株式会社

• 山本 和也

  三菱電機株式会社

• 大和田 哲

  三菱電機株式会社

• 弥政 和宏

  三菱電機株式会社

• 吉岡 秀浩

  三菱電機株式会社

関連論文

• 2.5/3.5GHz帯WiMAX用HBT MMIC電力増幅器モジュール(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• 無線通信用カレントミラー型GaAs HBT RF検波回路の検討(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• 2009年IEEE MTT-S国際マイクロ波シンポジウム出席報告
• GaAs方向性結合器付き検波回路の検討(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• C-10-22 10Gbit/sフリップフロップ内蔵分布型EA変調器駆動IC
• 右手/左手系複合線路を用いたスタブ共有型フォワードカプラの一設計法
• 高抵抗基板とハイブリッドトレンチ分離を用いた0.18μmSOI技術のRF/アナログ混載への応用について
• C-10-1 受動移相器を内蔵したカプラ付きGaAs HBT RF検波回路の検討(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• C-10-2 能動移相器を内蔵したカプラ付きGaAs HBT RF検波回路の検討(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• C-10-17 GaAs基板上に作製したカプラ付きHBT RF検波回路の基本検討(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• C-10-16 増幅段バイパス型利得切替HBT増幅器に関する検討(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
• C-10-2 2.5/3.5GHz帯InGaP HBT電力増幅器モジュール(C-10.電子デバイス,一般講演)
• C-10-1 GaAs HBT RF検波回路に関する基本検討(2)(C-10.電子デバイス,一般講演)
• C-10-8 低レファレンス電圧動作HBT電力増幅器の利得・位相特性の解析(C-10.電子デバイス,一般講演)
• GaAs-HBT AC結合スタック型ベース・コレクタダイオードスイッチを用いた0/20dB減衰器
• CDMA端末用2.4V低レファレンス電圧動作InGaP-HBT MMIC電力増幅器
• GaAs-HBT AC結合スタック型ベース・コレクタダイオードスイッチを用いた0/20dB減衰器(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• CDMA端末用2.4V低レファレンス電圧動作InGaP-HBT MMIC電力増幅器(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• アクティブボディ効果を利用した低電源電圧動作可能なSOI CMOS低雑音増幅器
• レジスティブミクサの動作解析
• デュアルオフセット構造を有する135GHzf_SOI MOSFETの高周波アナログ混載技術
• マイクロ波時間波形測定によるAlGaAsHBTの最大動作領域解析
• C-10-12 マイクロ波時間波形測定によるHBTの最大動作領域解析
• GSM用3.2V動作AlGaAs/GaAs HBT-MMIC電力増幅器
• CS-2-2 右手/左手系複合線路を用いたスタブ共有型フォワードカプラの試作評価結果(CS-2.メタマテリアル技術とそのマイクロ波応用の最新動向,シンポジウムセッション)
• GSM/EDGEデユアルモード,900/1800/1900MHz帯HBT-MMIC電力増幅器モジュール
• GSM/EDGEデュアルモード,900/1800/1900MHz帯HBT-MMIC電力増幅器モジュール
• C-10-8 電力増幅器制御用カレントミラー型バイアス回路
• C-10-17 5GHz帯HBT-MMIC低雑音ドライバとスイッチの試作
• C-10-16 マルチフィンガーHBTの熱均一動作のためのバラスト抵抗設計
• GSM方式携帯電話用HBT-MMICパワーアンプの開発
• C-10-8 ***電流切替回路による低電圧動作HBT電力増幅器の歪み改善(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• C-2-99 バランス型右手/左手系複合線路を用いた広帯域フォワードカプラ(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
• 2.5/3.5GHz帯WiMAX用HBT MMIC電力増幅器モジュール(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• C-2-102 右手/左手系複合線路を用いたスタブ共有型0dBフォワードカプラ(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
• レジスティブミクサの動作解析
• C-10-1 1.8V 動作 1.2/2.4GHzCMOS 周波数逓倍器の検討
• 1.8V動作Bluetooth用RF-CMOSトランシーバ
• A-1-14 低電圧動作可能なチャネル選択フィルタを用いて実現した1.8V動作RFCMOSトランシーバLSI
• 2.4GHz帯1.8V動作のCMOS RFフロントエンドICの試作
• C-10-18 0.18μmメッシュアレイMOSFETの高周波特性に関する検討
• 2.4GHz帯Si-CMOS MMICフロントエンド (「VLSI一般」)
• C-10-7 2.4GHz/5.2GHz帯Si-CMOS MMIC低雑音増幅器
• C-10-11 2.4GHz帯 Si-CMOSフロントエンドMMICの試作
• C-10-2 Si-MOSFETの小信号等価回路パラメータ抽出法に関する検討
• 低電圧・広帯域動作CDMA用HBT電力増幅器(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• 低電圧・広帯域動作CDMA用HBT電力増幅器(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• マイクロ波時間波形測定によるAlGaAsHBTの最大動作領域解析
• マイクロ波時間波形測定によるAlGaAsHBTの最大動作領域解析
• GSM方式携帯電話用HBT-MMICパワーアンプの開発
• GSM方式携帯電話用HBT-MMICパワーアンプの開発
• 携帯端末用HBT電力増幅器,AWAD2006)
• 携帯端末用HBT電力増幅器
• 無線通信用1.2/2.4GHz帯及び2.6/5.2GHz帯CMOS周波数逓倍器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• 無線通信用1.2/2.4GHz帯及び2.6/5.2GHz帯CMOS周波数逓倍器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• CS-2-13 バランス型右手/左手系複合線路を用いた広帯域フォワードカプラの試作評価結果(CS-2.メタマテリアル技術の最新動向,シンポジウムセッション)
• 導波管狭壁面クランク状スロットを用いたミリ波同軸/導波管変換器
• C-2-88 導波管狭壁面クランク状スロットを用いた同軸/導波管変換器(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般講演)
• 導波管狭壁面クランク状スロットを用いたミリ波同軸/導波管変換器(マイクロ波一般/ミリ波技術,マイクロ波シミュレータ,ミリ波技術,一般)
• C-10-7 5GHz帯CMOSフロントエンドMMIC
• GSM用3.2V動作AlGaAs/GaAs HBT-MMIC電力増幅器
• GSM用3.2V動作AlGaAs/GaAs HBT-MMIC電力増幅器
• 低電圧動作・高出力WSi/W二層ゲートSAGFET
• CDMA用2.4V低レファレンス電圧動作HBT-MMIC電力増幅器 (特集 高周波・光デバイス)
• CDMA端末用2.4V低レファレンス電圧動作InGaP-HBT MMIC電力増幅器(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• CDMA端末用2.4V低レファレンス電圧動作InGaP-HBT MMIC電力増幅器
• C-10-6 CDMA端末用2.4V低リファレンス電圧動作InGaP-HBT電力増幅器(C-10.電子デバイス,一般講演)
• 1.9GHz帯, 2V動作GaAs T/R-MMIC
• 1.9GHz帯, 2V動作GaAs T/R-MMIC
• 1.9GHz帯, 2V動作GaAs T/R-MMIC
• 1.9GHz帯, 2V動作GaAs T/R-MMIC
• 2.4GHz帯無線LAN用低電圧動作GaAs送受信一体化MMIC
• 低消費電流動作PHS用送受信一体化GaAs MMIC
• B-1-71 アンテナ正面方向への不要放射を抑えた直列給電マイクロストリップアレー用W形位相遅延回路(B-1.アンテナ・伝播B(アンテナ一般),一般講演)
• C-10-6 デュアルバンドHBT-MMIC用バンド切換スイッチ回路に関する検討
• Outside-Base/Centor-Via-Hole形HBTデュアルバンドMMIC増幅器
• C-10-2 3.2V動作GSM900/1800用HBT-MMIC電力増幅器
• GaAs-HBT AC結合スタック型ベース・コレクタダイオードスイッチを用いた0/20dB減衰器(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• GaAs-HBT AC結合スタック型ベース・コレクタダイオードスイッチを用いた0/20dB減衰器
• C-10-5 GaAs AC結合スタック型ダイオードステップ減衰器の歪み特性の改善(C-10.電子デバイス,一般講演)
• C-2-27 Outside-Base/Center-Via-HoleレイアウトHBTを用いたGSM900/DCS1800デュアルバンドMMIC増幅器
• フィードバック回路を用いたGaAs-HBT MMICカプラの検討 (マイクロ波)
• フィードバック回路を用いたGaAs-HBT MMICカプラの検討 (電子デバイス)
• 低電流・低歪みカスコードFETミクサを用いたPHS用送受信一体化RFフロントエンドMMIC
• バランス型右手/左手系複合線路を用いた広帯域フォワードカプラ
• サブアレーの平均化によるアレーアンテナ校正法(アンテナ・伝搬)
• 右手/左手系複合線路を用いたスタブ共有型フォワードカプラ(マイクロ波一般,マイクロ波シミュレータ/一般)
• C-2-31 右手/左手系複合線路を用いた密結合フォワードカプラの基礎検討(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
• 右手/左手系複合線路を用いた結合線路形フォワードカプラ
• C-2-78 右手/左手系複合線路を用いたフォワードカプラの基礎検討(C-2. マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
• C-2-87 抵抗値ばらつきによる特性劣化の小さいアイソレーション抵抗並列装荷型電力分配器(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
• C-2-53 抵抗値ばらつきによる特性劣化の小さいアイソレーション抵抗並列装荷型電力分配器の設計(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス,一般セッション)
• C-2-55 抵抗値ばらつきによる特性劣化の小さいアイソレーション抵抗並列装荷型電力分配器の測定結果(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
• C-2-53 入力数変更可能なトーナメント形電力合成回路の基礎検討(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
• 抵抗値ばらつきによる特性劣化の小さいアイソレーション抵抗並列装荷型電力分配器
• C-2-89 入力数変更可能なS帯導波管電力合成回路の試作評価(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
• C-2-72 入力数変更可能なS帯導波管電力合成回路の設計(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波能動デバイス))
• C-2-86 逆相フォワード結合を与える補助結合線路による方向性結合器の特性改善法(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
• C-2-82 両面エッチング加工の活用による中空ストリップ線路形帯域通過フィルタの無調整化(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
• C-2-98 補助結合線路による特性改善法を適用したマイクロストリップ線路形方向性結合器の設計(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク