502 単結晶シリコンウエハ主要面の引掻き試験による表面損傷機構の評価(切削・研削・研磨加工I)
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概要
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This paper provides a damage mechanism on single crystal silicon wafers by a scratch test. Relationship between normal indent load and scratch force was measured on the major planes of single crystal silicon using scratch test under room temperature condition. Scratching tracks of the surface of single crystal silicon after the scratching tests under very small loading forces were observed. It appears that relationship between normal indent load and scratch force correlates the critical load of damages of silicon.
- 2011-10-22
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