117303 単結晶シリコンウエハのへき開面における破壊靱性値(OS04 材料・機械・構造物における強度と寿命1,オーガナイズド・セッション)
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概要
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This paper provides effects of specimen's thickness on fracture toughness (critical stress intensity factor, K_<IC>) on the major planes of single crystal silicon using controlled surface flaw (CSF) method at room temperature. In this study, effects of geometrical shape of precrack on fracture stress and fracture toughness each specimen thickness. The average of K_<IC> obtained by CSF method was found to be 0.708±0.129 MPa・m^<0.5>, independent of specimen's thickness. The results on fracture stress and fracture toughness contribute to design for micro structures.
- 2011-03-17
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