21515 単結晶シリコンウエハの引掻きによる表面損傷機構(一般講演 強度・破壊)
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概要
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This paper provides a damage mechanism on single crystal silicon wafers by a scratch test. Relationship between normal indent load and scratch force was measured on the major planes of single crystal silicon using scratch test at room temperature. Scratching tracks of the surface of single crystal silicon after the scratching tests under very small loading forces were observed. It appears that relationship between normal indent load and scratch force correlates the critical load of damages of silicon.
- 一般社団法人日本機械学会の論文
- 2010-03-09
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